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重磅,格芯宣布終止7nm FinFET工藝研發(fā),分拆ASIC業(yè)務(wù)!
關(guān)鍵字: 格羅方德7納米晶圓定制ASICs本文來自微信公號“半導(dǎo)體行業(yè)觀察”(ID:icbank),作者/李壽鵬。
據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察獲悉,格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天邁出了其轉(zhuǎn)型的重要一步。公司宣布,將擱置7納米 FinFET項目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團隊來支持強化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時,一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。
格芯方面表示,他們正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。
與此同時,格芯方面宣布,為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計和IP方面的強大背景和重大投資,公司正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進的技術(shù)。該獨立ASIC實體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項,讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司,他們需要ASIC服務(wù)同時生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。
這是湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)在今年年初接任首席執(zhí)行官后做出的一個重大決定。
“客戶對半導(dǎo)體的需求從未如此高漲,并要求我們在實現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。嘉菲爾德表示,“今天,絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價值,以充分利用設(shè)計每個技術(shù)節(jié)點所需的大量投資。從本質(zhì)上講,這些節(jié)點正在向為多個應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計平臺過渡,從而為每個節(jié)點提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動態(tài)導(dǎo)致設(shè)計范圍到達摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心,加倍投資整個產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù),有針對性的服務(wù)不斷增長的細(xì)分市場中的客戶?!?
格芯正在加強投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價值的領(lǐng)域,著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。這包括繼續(xù)側(cè)重于FDX?平臺、領(lǐng)先的射頻產(chǎn)品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號,以及滿足越來越多低功耗、實時連接、車載設(shè)計需求的其他技術(shù)。隨著自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)和全球過渡至5G等新領(lǐng)域的強勁需求,格芯被賦予與眾不同的定位——服務(wù)“智能互聯(lián)”這一新興市場。
“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負(fù)擔(dān)將使格芯能夠?qū)ξ锫?lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場中對大多數(shù)芯片設(shè)計人員真正重要的技術(shù)進行更有針對性的投資,” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang,先生表示,“雖然最先進技術(shù)往往會占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置,但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間,可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?!?
晶圓代工老二的求變
格芯前身是AMD的晶圓制造部門,在2009年的時候,因為公司業(yè)務(wù)調(diào)整,AMD將其獨立出來,成立了獨立的晶圓代工廠格芯?,F(xiàn)在的格芯被由阿布扎比比穆巴達拉投資公司(Mubadala Investment Company)所有。
根據(jù)國際知名分析機構(gòu)ICcinsights的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,2017年,格芯的營收約為60.6億美元,成為僅次于臺積電的全球第二大純晶圓代工廠。拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新的數(shù)據(jù)也顯示,在今年上半年,格芯的營收約為26.05億美元,依然位居全球第二的位置。正如前面所說,這是格芯堅持兩步走的戰(zhàn)略所達成的。
但和其他晶圓廠一樣,格芯正在迎來各種各樣的挑戰(zhàn)。
過去幾十年,在摩爾定律的指導(dǎo)下,全球晶圓廠都在按照18個月的周期去推動工藝的進步,但隨著工藝的微縮,進入最近幾年,硅片的局限突顯,制約了了平面晶體管的進一步微縮。與此同時,UC伯克利胡正明明教授提出了FinFET晶體管的概念,并最初由英特爾在22nm工藝上首先實現(xiàn),繼續(xù)延續(xù)摩爾定律,推動芯片的持續(xù)微縮。與此同時,三星,臺積電和格芯等領(lǐng)先的純晶圓代工廠也在同步推進FinFET工藝的研發(fā),并將制程工藝推進到了7nm。與此同時,業(yè)界也在探索FD-SOI的解決方案。
依賴于在技術(shù)方面的多年積累,格芯在FinFET和FD-SOI兩個工藝上齊頭并進,并已經(jīng)發(fā)展成為是全球領(lǐng)先的全方位服務(wù)半導(dǎo)體代工廠,為世界上最富有靈感的科技公司提供獨一無二的設(shè)計、開發(fā)和制造服務(wù)。
所謂FinFET(Fin Field-Effect Transistor),就是鰭式場效晶體管,晶體管的閘極環(huán)繞包裹著晶體管的高架通道,形狀與魚鰭相似,因而命名。FinFET是一種新型的多重閘極3D晶體管,提供更佳功耗和效能優(yōu)勢,遠(yuǎn)勝過傳統(tǒng)平面型晶體管。
FinFET與平面FET對比
FinFET源自傳統(tǒng)場效晶體管(FET),傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側(cè)控制電路的接通與斷開,屬于平面架構(gòu)。在FinFET的架構(gòu)中,閘門成類似魚鰭的3D架構(gòu),可于電路的兩側(cè)控制電路的接通與斷開,與平面晶體管相比,F(xiàn)inFET能夠更妥善地控制電流,并同時降低漏電和動態(tài)功耗。
FinFET是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體 (CMOS)晶體管,閘長已可小于25nm,未來可進一步縮小至9nm,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。與28nm制程相比,16/14nm的FinFET制程可以提高40-50%效能,或減少50%功耗。
但其實胡正明在提出FinFET的時候,也同時提出了FD-SOI的概念,也就是完全耗盡型絕緣體上硅,這是一種平面工藝技術(shù),具有減少硅幾何尺寸同時簡化制造工藝的優(yōu)點。
據(jù)介紹,正因為它有平坦式結(jié)構(gòu)的優(yōu)點并且以現(xiàn)有的設(shè)計以及EDA工具延展了傳統(tǒng)體元件設(shè)計(bulk design)流程的適用性。FD-SOI對SOC的設(shè)計與制程而言是一種非破裂(non-disruptive)的MOSFET結(jié)構(gòu)。
FD-SOI示意圖
為了改善電性特性,F(xiàn)D-SOI需要在極薄的下埋氧化層(buried oxide, BOX<25nm)上形成一極薄的硅層(<20nm)。FD技術(shù)具有許多好處,包括功耗減少、尺寸微縮、特性改善以VDD降低等優(yōu)點。
而格芯,ST和三星則是這個工藝的主要推動者,尤其是格芯,更是FD-SOI工藝研發(fā)的典型代表,且公司在這方面的開拓上,也獲得了不錯的成績。
據(jù)格芯透露,截止到今年七月,格芯22納米(nm)全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)已在50項客戶設(shè)計中獲得采用,客戶端設(shè)計中標(biāo)收入已逾20億美元。展望未來,這個工藝將在如汽車、5G 連接和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等等領(lǐng)域創(chuàng)造更大的成功。格芯方面表示,公司正致力于推動22FDX技術(shù)的轉(zhuǎn)型,同時準(zhǔn)備推出新一代12FDX?技術(shù)。該技術(shù)將給邊緣節(jié)點人工智能、AR/VR到5G網(wǎng)絡(luò)以及先進駕駛輔助(ADAS)等新一代應(yīng)用賦予全節(jié)點擴展優(yōu)勢以及更高的功效。22FDX正處于早期量產(chǎn)階段,其良率與性能完全符合客戶期望。
另外,最近兩年,格芯還和成都政府合作建立了一個新工廠,瞄準(zhǔn)國內(nèi)市場,攜手國內(nèi)探索另外的成長空間。
據(jù)了解,格芯成都晶圓廠為格芯與成都地方政府合資,共分兩期建設(shè),第一期為12英寸成熟工藝(180納米與130納米CMOS邏輯及衍生工藝),技術(shù)主要從新加坡引進,計劃將于2018年正式投產(chǎn),預(yù)計產(chǎn)能每月2萬片;第二期為22納米全耗盡絕緣層上硅(FD-SOI)工藝,技術(shù)主要從德國引進,計劃將于2019年正式投產(chǎn),預(yù)計產(chǎn)能約每月6.5萬片。包含配套措施在內(nèi)的兩期投資總額約為100億美元,預(yù)計最終將有約3,500名員工參與Fab 11的運營。
多管齊下的格芯,讓他們在產(chǎn)品方面更豐富,也能適應(yīng)多方面的需求。
自研芯片浪潮,
ASIC服務(wù)具有巨大的成長空間
對格芯來說,獨立ASIC業(yè)務(wù)也是提振公司業(yè)績的一個明智決定。
最近兩年,隨著人工智能,大數(shù)據(jù)和挖礦的流行,為了滿足不同的業(yè)務(wù)需求,打造產(chǎn)品差異化,市場上掀起了一股自研芯片潮流。包括Facebook,谷歌,微軟,亞馬遜和百度在內(nèi)的眾多互聯(lián)網(wǎng)廠商開始投入了自研芯片的懷抱。除了他們外,還有其他很多系統(tǒng)廠商也都開始投入這個爭奪中去。
但對這些互聯(lián)網(wǎng)廠商或者系統(tǒng)廠商來說,除了極個別擁有雄厚的資金,可以打造自有的,覆蓋前端到后端的設(shè)計團隊外,大多數(shù)廠商仍是需要尋求第三方的ASIC設(shè)計服務(wù)。而擁有豐富經(jīng)驗的格芯ASIC團隊,也能為客戶提供更多,很好的服務(wù)。
作為一支源自AMD的團隊,格芯在芯片設(shè)計方面擁有豐富的經(jīng)驗,另外也積累了廣泛的IP,能夠為客戶提供更好的體驗。
在今年年初,格芯中國總裁白農(nóng)在接受半導(dǎo)體行業(yè)觀察采訪時曾提到,針對不同類型的終端應(yīng)用,包括新一代云服務(wù),計算,儲存,移動設(shè)備及有線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施, 格芯提供的系統(tǒng)級ASIC設(shè)計方案,集成了多方優(yōu)勢,包括豐富的IP組合和先進的封裝選項。
白農(nóng)表示,格芯擁有業(yè)內(nèi)應(yīng)用最廣的ASIC設(shè)計服務(wù)、高度差異化的IP、定制芯片和先進的封裝技術(shù),能夠提供真正的端到端設(shè)計方案,幫助實現(xiàn)設(shè)計上的“一次成功”,并幫助產(chǎn)品快速進入市場。早在成都Fab 11還在建時,22FDX業(yè)務(wù)已經(jīng)同步開展,格芯的ASIC工程師已在現(xiàn)場為中國的芯片設(shè)計公司提供22FDX項目的支持。
其實早在格芯獨立這個業(yè)務(wù)之前,芯片設(shè)計領(lǐng)先廠商聯(lián)發(fā)科就已經(jīng)宣布,將在未來加大在ASIC業(yè)務(wù)的投入,格芯的這個決定和臺灣巨頭的決定不謀而合。這也是未來一個巨大的成長方向。
拋下包袱,
格芯走上新征程
我們必須承認(rèn),格芯做出這個決定,與整個行業(yè)的格局和他們本身的進展有很大關(guān)系的。
首先從7nm工藝進展上看,格芯已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺積電和三星。隨著蘋果新iPhone發(fā)布日期的臨近,我們很快就可以看到搭載臺積電7nm工藝A12的亮相。華為即將公布的mate20也將用上臺積電生產(chǎn)的7納米Kirin980芯片,另外包括AMD、英偉達等廠商也將選用臺積電作為他們7nm芯片的代工廠,另外其他挖礦芯片的訂單也不計其數(shù)。臺積電魏哲家在早前的財報中也說過,今年該司將流片50多款7nm芯片,幾乎籠絡(luò)了市場上的訂單?
在三星方面,雖然他們的進度不如臺積電,但是他們憑借在存儲方面掙到的大量美金,可以大筆的投入到相關(guān)的新工藝研發(fā)甚至補貼之中。以上兩者的表現(xiàn)就讓格芯的表現(xiàn)相形見拙。
根據(jù)格芯之前的規(guī)劃,他們的7nm將會在明年才會有更新的進展。按照這個進度,屆時可能連湯也喝不上了。現(xiàn)在做出這個壯士斷臂的決定,無疑是一個明智之舉。在不久之前,純晶圓代工老三聯(lián)電也宣布停止先進工藝的研發(fā)。聚焦在現(xiàn)有工藝的應(yīng)用拓展,這也從側(cè)面證明了格芯這個決定的明智。從另一方面看,先進工藝的投入巨大,相信也是格芯做出這個決定的另一個原因。
進入了28nm以后,工藝每推進一步,所投入的成本都是驚人的。臺積電CO-CEO魏哲家曾在他們的技術(shù)大會上表示,在未來的5nm方面,他們將會投入250億美元進行研發(fā)。這種投入并不是每一個晶圓廠都能承擔(dān)的。所以格芯經(jīng)過考慮之后做出的決定,也算是拋下一個追趕包袱。
在聯(lián)電和格芯先后宣布退出先進工藝的追趕,中芯差距又比較大的現(xiàn)狀下??梢杂鲆姷氖?,在未來很長的一段時間內(nèi),只有臺積電和三星兩者在角逐先進工藝市場。
而對于格芯等來說,如果鞏固自有的客戶,持續(xù)拓展更多極具特色的產(chǎn)品線,才是決定你未來能否更上一層樓的X因素。
- 原標(biāo)題:重磅,格芯宣布終止7nm FinFET工藝研發(fā),分拆ASIC業(yè)務(wù)!
- 責(zé)任編輯:程北墨
- 最后更新: 2018-08-28 12:07:39
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