據(jù)微信公號“芯師爺”（ID：gsi24-xinshiye）12月25日消息，經(jīng)過兩年多的漲價潮，DRAM的風光不再，10月份調(diào)研報告顯示DRAM內(nèi)存現(xiàn)貨價格跌了10%。今年第四季DRAM價格正式反轉(zhuǎn)向下，11月合約價甚至出現(xiàn)二次下跌的狀況，預(yù)計2019年第一季DRAM合約價跌幅將持續(xù)擴大。

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）的分析，2018年NAND Flash供應(yīng)商3D 64層產(chǎn)品良率穩(wěn)定，產(chǎn)出高于預(yù)期。由于淡季影響，加上市場庫存水位仍高，供過于求的情況只會更加顯著，預(yù)估第一季NAND Flash合約價將再進一步走跌，跌幅約10%。

事實上，從今年第1季度以來，NAND Flash價格就止不住下滑了，其第3季度行業(yè)產(chǎn)值僅為170億美元，環(huán)比只增長了4.4%，NAND閃存價格卻降了10-15%。

三星/SK海力士/美光紛紛減產(chǎn)

12月24日，根據(jù)韓國媒體報道，三星電子第4季營運表現(xiàn)恐不如預(yù)期，將較去年同期呈現(xiàn)下滑。韓國當?shù)胤治鰩燁A(yù)期，截至12月底的一季，韓國科技巨頭三星電子的營業(yè)利潤為13.9萬億韓元 (123億美元 )，去年同期為15.1萬億韓元（133.6億美元），降幅為7.6%。三星電子第3季的營業(yè)利潤為17.57萬億韓元（155.5億美元）。

SEMI預(yù)計，與今年相比，韓國半導(dǎo)體公司的資本支出明年將減少34.7%。根據(jù)最新報告，明年內(nèi)存芯片制造商的資本支出預(yù)計將下降19%，而不是此前預(yù)測的增長3%。DRAM方面預(yù)計下降23%，NAND Flash方面預(yù)計下降13%。三星電子可能會減少對平澤的P1和P2設(shè)施以及華城的S3的投資。

另一邊，SK海力士在此前的2018Q3財報會議上亦表示，將調(diào)整在2019年第1季末開始量產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器的M15工廠產(chǎn)能，以降低SK海力士對DRAM的依賴。而位于無錫的C2工廠，也將把原來2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生產(chǎn)制程，優(yōu)化成1xnm(10nm后期)的產(chǎn)品，以降低生產(chǎn)成本，并將在2019年第2季量產(chǎn)。至于，以生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲器為主的M11工廠，則將把2D NAND Flash轉(zhuǎn)換為生產(chǎn)3D NAND Flash，也是因為就生產(chǎn)成本來進行的考量。

除了三星本季營運表現(xiàn)不如預(yù)期，美光財年第1季財報表現(xiàn)也堪憂，在DRAM與NAND Flash產(chǎn)品銷售同步衰退下，季營收滑落至79.13億美元，毛利率59%，每股純益2.97美元。

美光宣布將調(diào)降明年資本支出，縮減12.5億美元降至95億美元，因應(yīng)市場需求減少下，減少芯片的產(chǎn)量，三大存儲器大廠拉響警報，存儲器產(chǎn)業(yè)前景蒙上陰霾。

面對存儲器產(chǎn)業(yè)低迷，三大廠商除了采取減產(chǎn)措施以外，還在積極拓展其他業(yè)務(wù)。三星方面，積極研發(fā)新存儲技術(shù)，比如MRAM；同時還加大了對車軌MLCC的生產(chǎn)。SK海力士方面，正在加大晶圓代工業(yè)務(wù)，比如11月增資1000萬美元無錫晶圓代工廠。美光方面，為了應(yīng)對產(chǎn)業(yè)低迷的狀況，以15億美元收購英特爾股份并全資控股IF Flash，繼續(xù)研發(fā)3-D XPoint技術(shù)。

除以上三大廠商外，其他存儲廠商也都會受到波及，比如中國大陸的紫光存儲。

紫光/群聯(lián)報團取暖

在全球存儲器產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)低迷之時，12月24日，群聯(lián)電子與紫光存儲科技有限公司在北京簽署戰(zhàn)略合作協(xié)定，將在存儲產(chǎn)品供應(yīng)鏈、產(chǎn)品設(shè)計、代工生產(chǎn)等領(lǐng)域全面深化合作，建立密切的合作伙伴關(guān)系，充分發(fā)揮各自行業(yè)優(yōu)勢，促進雙方業(yè)務(wù)發(fā)展和產(chǎn)品延伸，實現(xiàn)生態(tài)共贏。

紫光集團旗下長江存儲和武漢新芯的快速崛起，將成為大陸首家最快量產(chǎn)64層3D儲型快閃存儲（ NAND Flash）指標廠。從今年長江存儲正式產(chǎn)出38層的3D NAND Flash開始，紫光集團就入股多家快閃存儲控制芯片公司，一度傳出群聯(lián)也在收購名單之列，但雙方價格一直沒談妥，不過群聯(lián)也支持長江存儲的芯片，協(xié)助進行測試，進而導(dǎo)入在IC芯片卡應(yīng)用。

群聯(lián)這次和紫光存儲簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，就是看好大陸全力發(fā)展自主存儲產(chǎn)業(yè)的商機。根據(jù)這次的協(xié)議，雙方將深化開展生產(chǎn)、銷售存儲產(chǎn)品與服務(wù)層面的合作，打造完整、高效的商業(yè)鏈條，著力聯(lián)合開發(fā)創(chuàng)新存儲產(chǎn)品，協(xié)作開拓全球市場。

群聯(lián)董事長潘健成坦言，透過雙方合作，可全面發(fā)揮資源和能力互補優(yōu)勢，打造共贏的業(yè)務(wù)生態(tài)。

供應(yīng)鏈指出，紫光集團明年將正式跨入NAND Flash產(chǎn)業(yè)，且明年下半年就能進入到64層的3D NAND量產(chǎn)，腳步相當迅速，由于NAND Flash必須搭配控制IC才能使用，因此紫光集團的新產(chǎn)能就成為群聯(lián)搶先合作的目標。

南亞科/華邦電面臨沖擊

臺廠在這一波存儲器產(chǎn)業(yè)面臨衰退的情況中，恐將面臨嚴格的沖擊，南亞科11月合并營收12.07億元，月減19.7%，創(chuàng)13個月來單月營收新低，累計前十一個月合并營收178.5億元；因DRAM出貨量及價格下滑，南亞科調(diào)整第4季單季銷售量，將較上季減少約15%，無法達成原預(yù)期的持平目標。

華邦電11月合并營收8.98億元，月減3.22%，年減10.12%，創(chuàng)9個月新低；旺宏11月合并營收6.8億元，創(chuàng)7月以來低點，月減21.8% ，年減7.4%。

研調(diào)機構(gòu)看淡存儲器產(chǎn)業(yè)，集邦科技預(yù)估，第4季DRAM價格跌幅超乎預(yù)期， 平均售價下跌近8%，明年第1季DRAM合約價格跌幅擴大，預(yù)估將達10%以上， NAND Flash價格也是下跌。

面對價格下跌及需求趨緩的雙重隱憂，業(yè)內(nèi)人士擔憂臺廠相關(guān)存儲器廠的營運恐將面臨更大的壓力，從南亞科、華邦電及旺宏11月營收表現(xiàn)來看，第4季到明年首季，可能面臨相當大的挑戰(zhàn)。

存儲器產(chǎn)業(yè)低迷，你怎么看？

DRAM內(nèi)存降價已是必然，內(nèi)存大廠也紛紛消減明年DRAM產(chǎn)能。不過這內(nèi)存漲的時候猛漲不止，降價的勢頭也同樣比預(yù)期更狠。與此同時，NAND Flash產(chǎn)能超出預(yù)期，以致市場供過于求，價格連續(xù)走跌。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，明年DRAM需求仍不悲觀，供應(yīng)商端也理性控制產(chǎn)出，不認為明年在報價上會有劇烈的波動，中美貿(mào)易戰(zhàn)之國際局勢將是影響市場的最大關(guān)鍵因素。

李培瑛分析，全球電子產(chǎn)品走向智能化，存儲器是最關(guān)鍵的零組件，需求面沒有太悲觀。供給方面，DRAM供應(yīng)商現(xiàn)在變得比較理性。預(yù)期明年雖有季節(jié)性變化，尚不會有急劇跌價的問題，明年DRAM價格預(yù)計出現(xiàn)合理的調(diào)整，估計會持續(xù)緩跌一季或者二季。

十銓科技總理理陳慶文表示，目前看DRAM、NAND Flash明年價格將雙雙跌價，價格跌幅都恐達三成，預(yù)計明年上半年價格跌勢較為明顯，明年第三季起，隨著5G帶動服務(wù)器需求，產(chǎn)業(yè)有機會觸底反彈，明年下半年價格有機會逐步止跌。

陳慶文指出，當下要維持營運成長的確具有挑戰(zhàn)性，但往往跌勢之際是危機也是契機，看好因為價格下跌將刺激需求爆發(fā)，尤其SSD的單位價格將快速與傳統(tǒng)硬盤拉近，最快明年下半年將出現(xiàn)黃金交叉，SSD的需求正式超越傳統(tǒng)硬盤，預(yù)期明年第三季度，隨著QLC NAND Flash良率穩(wěn)定之后，供應(yīng)量將會明顯提升，屆時對于市場的價格也會帶來影響。

威剛董事長陳立白曾表示，明年DRAM因主要芯片制造商增產(chǎn)有限，價格仍會持穩(wěn);NAND Flash受各大廠軍備競賽未歇，預(yù)料價格跌幅不亞于今年，預(yù)期NAND Flash上游廠明年有一半以上無法賺錢。

還有業(yè)內(nèi)人士認為，雖然存儲器價格下滑趨勢確立，但預(yù)估此次下滑趨勢應(yīng)不超過 18 個月，英特爾 14 nm x86 CPU 短缺狀況應(yīng)會于2019年中之前改善，10 nm x86 CPU 應(yīng)于2019年下半年量產(chǎn)， AMD 7 nm x86 CPU, 7 nm挖礦機及智慧手機，5G 手機都將于2019年出籠取代中低階機種及對存儲器半導(dǎo)體產(chǎn)生正面影響。因此預(yù)估大多數(shù)的存儲器半導(dǎo)體公司會面對營業(yè)利潤率從近50%的高檔下滑，但卻不至于步入虧損。

對于國內(nèi)企業(yè)而言，面臨的處境更加嚴峻。隨著存儲器產(chǎn)業(yè)周期調(diào)整，中國廠商將有可能錯失這一波市場機遇。加之存儲器市場競爭愈發(fā)激烈，前期如果沒有價格優(yōu)勢，國內(nèi)廠商很難實現(xiàn)快速搶占市場份額。針對這種情況，國內(nèi)廠商也在嘗試不同的產(chǎn)品形態(tài)，如紫光的隱式指紋安全U盤、武漢新芯的特種工藝等。