（圖片來源：http://qianyan.kepu.cn/kjqy_zt/innoexpo2014/gclzhexy/index.html）

2010年左右，包括中國華人物理學家張首晟教授在內(nèi)的科學家，在理論上預言了一種叫做拓撲絕緣體的新的材料，拓撲絕緣體就是內(nèi)部絕緣、表面導電的拓撲材料，這些表面導電通道不受表面形貌、非磁雜質(zhì)等的影響，所以是很好的一維導體。如果在其中摻入磁性原子形成長程鐵磁序，這樣無需外加磁場，就能形成穩(wěn)定的基本沒有耗散的量子反常霍爾效應。

如何用實驗來證明上述理論呢？用實驗驗證量子反?；魻栃年P(guān)鍵是制備出一種像石墨烯那樣，一層一層平整的納米材料。

（圖片來源：https://upload-images.jianshu.io/upload_images/3390801-9d68ccd2108f9fc4.jpg）

量子反?；魻栃獙Σ牧闲再|(zhì)的要求非?？量蹋缤笠粋€人同時具有短跑運動員速度、籃球運動員高度和體操運動員靈巧：材料能帶結(jié)構(gòu)必須具有拓撲特性從而具有導電的一維邊緣態(tài)；材料必須具有長程鐵磁序從而存在反?；魻栃徊牧象w內(nèi)必須為絕緣態(tài)從而只有一維邊緣態(tài)參與導電。在實際材料中實現(xiàn)以上任何一點都具有相當大的難度，而要同時滿足這三點對實驗物理學家來講更是巨大挑戰(zhàn)，正因為此，美國、德國、日本等科學家未取得最后成功。

自2009年起，中國科學院院士薛其坤帶領(lǐng)由中科院物理研究所和清華大學物理系組成的實驗團隊向量子反?；魻栃膶嶒瀸崿F(xiàn)發(fā)起沖擊。歷經(jīng)四年努力，團隊生長和測量了1000多個樣品，利用分子束外延的方法生長出了高質(zhì)量的Cr摻雜(Bi,Sb)2Te3拓撲絕緣體磁性薄膜，將其制備成輸運器件，并在極低溫環(huán)境下對其磁電阻和反?；魻栃M行了精密測量。終于發(fā)現(xiàn)在一定的外加柵極電壓范圍內(nèi)，此材料在零磁場中的反常霍爾電阻達到了量子霍爾效應的特征值，世界難題得以攻克。

（圖片來源：《科學》（Science）雜志）

美國《科學》雜志于2013年3月14日在線發(fā)表這一研究成果，引起物理學界巨大反響，著名物理學家、諾貝爾獎得主楊振寧稱贊其是諾貝爾獎級的成績?！斑@是我們團隊精誠合作、聯(lián)合攻關(guān)的共同成果，是中國科學家的集體榮譽?！毖ζ淅ぴ菏繌娬{(diào)說。

結(jié)語

量子反常霍爾效應可在未來解決摩爾定律的瓶頸問題，若應用到電子器件中，有望克服目前計算機發(fā)熱耗能等帶來的一系列問題，為半導體工業(yè)帶來又一次的革命，甚至使巨型銀河計算機變得像iPad般便攜。它的發(fā)現(xiàn)或?qū)硐乱淮涡畔⒓夹g(shù)革命，我國科學家為國家爭奪了這場信息革命中的戰(zhàn)略制高點。