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技術(shù)突破!中企成功制備4英寸氧化鎵單晶
關(guān)鍵字: 中國電科觀察者網(wǎng)27日從中國電子科技集團有限公司獲悉,近日,中國電科46所經(jīng)過多年氧化鎵晶體生長技術(shù)探索,通過改進熱場結(jié)構(gòu)、優(yōu)化生長氣氛和晶體生長工藝,有效解決了晶體生長過程中原料分解、多晶形成、晶體開裂等問題,采用導(dǎo)模法成功制備出高質(zhì)量的4英寸氧化鎵單晶。
據(jù)介紹,氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料,適用于制造高電流密度的功率器件、紫外探測器、發(fā)光二極管等。但由于氧化鎵屬于單斜晶系,具有高熔點、高溫分解以及易開裂的特性,因此,大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。
中國電科46所制備的氧化鎵單晶的寬度接近100mm,總長度達到250mm,可加工出4英寸晶圓、3英寸晶圓和2英寸晶圓。經(jīng)測試,晶體具有很好的結(jié)晶質(zhì)量,將為國內(nèi)相關(guān)器件的研制提供有力支撐。
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- 責(zé)任編輯:呂棟
- 最后更新: 2019-02-27 17:09:16
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