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消息顯示，華為旗下的哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。 山東天岳

是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅企業(yè)。 碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件的理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”。

今年四月，來自啟信寶數(shù)據(jù)顯示，華為新成立了一家投資公司，名為哈勃科技投資有限公司。 這家公司注冊(cè)資本為7億元人民幣，由華為投資控股有限公司100%控股。

哈勃科技投資有限公經(jīng)營范圍是創(chuàng)業(yè)投資業(yè)務(wù)，法定代表人、董事長以及總經(jīng)理均為白熠，他同時(shí)擔(dān)任華為全球金融風(fēng)險(xiǎn)控制中心總裁。

據(jù)資料顯示，華為哈勃投資的山東天岳公司成立于2011年12月，是以第三代半導(dǎo)體碳化硅材料為主的高新技術(shù)企業(yè)。 公司投資建成了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地，具備研發(fā)、生產(chǎn)、國際先進(jìn)水平的半導(dǎo)體襯底材料的軟硬件條件，是我國第三代半導(dǎo)體襯底材料行業(yè)的先進(jìn)企業(yè)。

今年二月，山東天岳碳化硅功率半導(dǎo)體芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開工。

據(jù)了解，天岳的碳化硅功率半導(dǎo)體芯片及電動(dòng)汽車模組研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是濟(jì)南2019年市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目之一，該項(xiàng)目總投資65000萬元，項(xiàng)目總占用廠房面積為2400平方米，主要將建設(shè)碳化硅功率芯片生產(chǎn)線和碳化硅電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊生產(chǎn)線各一條，利用廠區(qū)原有廠房的空置區(qū)域建設(shè)。

據(jù)山東天岳官方消息，本項(xiàng)目以硅烷和甲烷在氫氣和氬氣條件下制得SiC襯底外延片后，經(jīng)掩膜淀積、光刻、顯影、灰化、刻蝕和檢驗(yàn)封裝等工序，生產(chǎn)SiC MOSFET晶體管，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為400萬只/年； 以碳化硅外延材料為原料，經(jīng)晶圓標(biāo)記、離子注入、廠板淀積、歐姆接觸、肖特基電極、鈍化層制備等工序，生產(chǎn)SiC功率二極管，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為1200萬只/年； 以碳化硅芯片為原料，經(jīng)焊接、清洗、鋁引線鍵合灌封硅凝膠等工序，生產(chǎn)碳化硅電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊，設(shè)計(jì)年生產(chǎn)規(guī)模為1萬只/年。

碳化硅是電力器件的未來？

碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料代表之一，是C元素和Si元素形成的化合物。 跟傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅相比，它具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率等明顯的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，與硅材料的物理性能對(duì)比，主要特性包括：

（1）臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅材料近10倍；

（2）熱導(dǎo)率高，超過硅材料的3倍；

（3）飽和電子漂移速度高，是硅材料的2倍；

（4）抗輻照和化學(xué)穩(wěn)定性好；

（5）與硅材料一樣，可以直接采用熱氧化工藝在表面生長二氧化硅絕緣層。

比如，在相同耐壓級(jí)別條件下，Si-MOSFET必須要做得比較厚，而且耐壓越高厚度就會(huì)越越厚，導(dǎo)致材料成本更高。 在柵極和漏極間有一個(gè)電壓隔離區(qū)，這個(gè)區(qū)越寬，內(nèi)阻越大，功率損耗越多，而SiC-MOSFET可以講這個(gè)區(qū)域做得更薄，達(dá)到Si-MOSFET厚度的1/10，同時(shí)漂移區(qū)阻值降低至原來的1/300。 導(dǎo)通電阻小了,能量損耗也就小了，性能得到提升。

碳化硅功率半導(dǎo)體器件包括二極管和晶體管，其中二極管主要有結(jié)勢(shì)壘肖特基功率二極管（JBS）、PiN功率二極管和混合PiN肖特基二極管（MPS）； 晶體管主要有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）、雙極型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）等。

相對(duì)Si功率器件，SiC在二極管和晶體管的優(yōu)勢(shì)特征為： 在二級(jí)管中，Si-FRD構(gòu)造電壓可以達(dá)到250V，而換成SiC電壓則可達(dá)到4000V左右； 晶體管中Si-MOSFET可以做到900V，市場(chǎng)上也有1500V的，但特性會(huì)差些，而SiC產(chǎn)品電壓可達(dá)3300V。

碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，將極大地提高現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率，對(duì)高效能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域產(chǎn)生重大而深遠(yuǎn)的影響，主要領(lǐng)域有智能電網(wǎng)、軌道交通、電動(dòng)汽車、新能源并網(wǎng)、通訊電源等。 被譽(yù)為未來的功率器件選擇。