來源：內(nèi)容來自「湘評(píng)科技」，作者：國(guó)盛電子團(tuán)隊(duì) ，謝謝。

長(zhǎng)電科技是國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試龍頭廠商，主營(yíng)業(yè)務(wù)為集成電路、分立器件的封裝與測(cè)試。為海內(nèi)外客戶提供涵蓋封裝設(shè)計(jì)、焊錫凸塊、針探、組裝、測(cè)試、配送等一整套半導(dǎo)體封裝測(cè)試解決方案。目前公司產(chǎn)品主要有QFN/DFN、BGA/LGA、FCBGA/LGA、FCOL、SiP、WLCSP、Bumping、MEMS、Fan-out eWLB、POP、PiP及傳統(tǒng)封裝SOP、SOT、DIP、TO等多個(gè)系列。

八大基地布局，全面覆蓋高中低端產(chǎn)品。公司目前可以分為長(zhǎng)電本部及旗下子公司星科金朋與長(zhǎng)電韓國(guó)。

長(zhǎng)電本部包括江陰基地、滁州廠、宿遷廠與長(zhǎng)電先進(jìn)四個(gè)生產(chǎn)基地：

?  江陰基地：主要包括BGA/SiP/FC等工藝，面向手機(jī)射頻、電源管理、PA模塊等產(chǎn)品，其中C3廠具有國(guó)內(nèi)最大的PA封裝產(chǎn)能；?  滁州廠：主要以小信號(hào)/超小型分立器件+低端集成電路；?  宿遷廠：主要為功率產(chǎn)品封裝，應(yīng)用于照明、家電、電源管理等領(lǐng)域；?  長(zhǎng)電先進(jìn)：主要提供晶圓級(jí)封裝+bumping，用于wifi、藍(lán)牙、電源管理等手機(jī)外圍芯片。

星科金朋包括星科金朋江陰、星科金朋新加坡與星科金朋韓國(guó)（SCK）：

?  星科金朋江陰：以FCBGA/ FCCSP為主，此外還有Wire Bonding，主要用于手機(jī)AP、HPC、DRAM存儲(chǔ)等領(lǐng)域；?  星科金朋韓國(guó)：以FCCSP+POP+SiP為主，下游包括手機(jī)AP、存儲(chǔ)芯片與礦機(jī)；?  星科金朋新加坡：以Fan-in + Fan-out eWLB為主，主要用于手機(jī)AP和PMIC電源管理芯片的封裝。

此外長(zhǎng)電韓國(guó)（JSCK）為長(zhǎng)電科技在韓國(guó)新設(shè)立的 SIP 封裝廠，主要是為了配合星科金朋韓國(guó)（SCK），共同開拓國(guó)內(nèi)外客戶。

大基金+芯電半導(dǎo)體，有望加速整合改善

2018年8月公司正式面向國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、芯電半導(dǎo)體與金投領(lǐng)航定向發(fā)行股份2.43億股，以14.89元/股發(fā)行價(jià)募集36.19億元。此后產(chǎn)業(yè)大基金（19%）、芯電半導(dǎo)體（14.28%）和新潮集團(tuán)（5.47%）成為公司前三大股東。

我們預(yù)計(jì)隨著產(chǎn)業(yè)大基金與芯電半導(dǎo)體成為公司前兩大股東，公司有望加速整合改善：財(cái)務(wù)費(fèi)用率有望下降，降低財(cái)務(wù)壓力。我們預(yù)計(jì)大基金作為大股東有助于公司與政策性銀行合作，享受貸款利率優(yōu)惠，從而降低自身的財(cái)務(wù)費(fèi)用。

管理層調(diào)整，有望顯著提升經(jīng)營(yíng)效率

新聘業(yè)內(nèi)資深CEO，預(yù)期公司管理效率加速改善。9月9日，長(zhǎng)電科技聘任鄭力為新任首席執(zhí)行長(zhǎng)（CEO）。鄭力曾任恩智浦、中芯國(guó)際、瑞薩電子、NEC電子等多家半導(dǎo)體公司的副總裁、大中華區(qū)CEO及其他高級(jí)管理職位，在美國(guó)、日本、歐洲和中國(guó)國(guó)內(nèi)的集成電路產(chǎn)業(yè)擁有超過26年的工作經(jīng)驗(yàn)。隨著管理團(tuán)隊(duì)的更換，預(yù)計(jì)公司在管理上將進(jìn)一步提升效率，實(shí)現(xiàn)降本提效，并整合國(guó)內(nèi)外行業(yè)資源，加強(qiáng)合作伙伴的合作。我們認(rèn)為新任CEO的IDM管理工作經(jīng)歷有望在未來持續(xù)進(jìn)行優(yōu)質(zhì)客戶導(dǎo)入以及與IDM的協(xié)同合作。

我們預(yù)計(jì)本次管理層調(diào)整有望顯著提升后續(xù)經(jīng)營(yíng)管理效率，加速完成董事會(huì)下達(dá)的任務(wù)目標(biāo)（公司半年報(bào)披露）：

?  1）繼續(xù)深入推進(jìn)星科金朋的整合，進(jìn)一步梳理各項(xiàng)職能，減少冗余資源配置；?  2）繼續(xù)與重大戰(zhàn)略客戶緊密合作，確保新品研發(fā)和訂單導(dǎo)入順利進(jìn)行；?  3）繼續(xù)優(yōu)化全球生產(chǎn)布局，綜合考慮各工廠產(chǎn)線利用率情況，對(duì)個(gè)別產(chǎn)線產(chǎn)能進(jìn)行調(diào)配；?  4）繼續(xù)加強(qiáng)各項(xiàng)費(fèi)用管控，向管理要效益；?  5）繼續(xù)圍繞“做強(qiáng)長(zhǎng)電，質(zhì)量為本”的指導(dǎo)思想提升各工廠的質(zhì)量管理能力，并建設(shè)以客戶為中心的長(zhǎng)電企業(yè)文化。

芯電半導(dǎo)體有助于加強(qiáng)公司與國(guó)內(nèi)代工龍頭中芯國(guó)際及設(shè)計(jì)廠商的產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同效應(yīng)。同時(shí)根據(jù)公告，目前中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)任公司董事長(zhǎng)，管理層也有中芯國(guó)際高管兼任公司董事成員，我們預(yù)計(jì)這也有助于公司后續(xù)整合發(fā)展。

持續(xù)追加投資體現(xiàn)訂單確定性

為配合重點(diǎn)客戶市場(chǎng)需求，公司持續(xù)追加資本開支。根據(jù)公司5月18日董事會(huì)決議公告，公司2019年固定資產(chǎn)投資計(jì)劃安排34.1億元人民幣，主要投資用途包括：1）重點(diǎn)客戶產(chǎn)能擴(kuò)充共投資16.9億元人民幣，用于手機(jī)芯片、電源管理芯片等。2）基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)共投資9.2億元人民幣，用于長(zhǎng)電宿遷擴(kuò)建和江陰城東廠擴(kuò)建等。3）其他零星擴(kuò)產(chǎn)、降本改造、自動(dòng)化、研發(fā)以及日常維護(hù)等共投資8.0億元人民幣。

同時(shí)，公司8月29日公告追加固定資產(chǎn)投資6.7億元，主要為配合國(guó)內(nèi)重點(diǎn)客戶市場(chǎng)需求，產(chǎn)品主要應(yīng)用于電源管理、射頻、無線、基站、網(wǎng)絡(luò)、多媒體等。公司在建工程由年初的34.5億，進(jìn)一步增加到43.2億。

我們認(rèn)為在公司上半年經(jīng)營(yíng)承壓情況下，持續(xù)公告追加固定資產(chǎn)投資體現(xiàn)訂單需求的確定性，尤其反應(yīng)來自國(guó)內(nèi)重點(diǎn)客戶的訂單較為明確。

業(yè)績(jī)低點(diǎn)已過，營(yíng)收有望率先迎來拐點(diǎn)

19Q2是業(yè)績(jī)低點(diǎn)，下半年?duì)I收有望迎來強(qiáng)勁復(fù)蘇。2019H1，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入91.48億元，同比下滑19.06%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)-2.59億元，去年同期歸母凈利潤(rùn)為0.11億元。其中，2019Q2營(yíng)業(yè)收入46.34億元，同比下滑20.28%，環(huán)比增長(zhǎng)2.63%；歸母凈利潤(rùn)-2.12億元，去年同期歸母凈利潤(rùn)為0.06億元。封測(cè)行業(yè)從5~6月以來逐漸迎來需求回暖，國(guó)內(nèi)大客戶訂單需求增長(zhǎng)強(qiáng)勁，我們預(yù)期19Q2是公司業(yè)績(jī)低點(diǎn)。

資產(chǎn)負(fù)債率進(jìn)一步降低，財(cái)務(wù)費(fèi)用環(huán)比下降。公司資產(chǎn)負(fù)債率從去年同期的70.14%下降至目前的63.25%，單季度利息費(fèi)用也逐步下降至1.71億元。19Q2單季度財(cái)務(wù)費(fèi)用率4.00%，同比下降0.17個(gè)百分點(diǎn)，環(huán)比下降1.49個(gè)百分點(diǎn)，考慮收入的下滑，財(cái)務(wù)費(fèi)用實(shí)際減少較為明顯。

本部滁州廠受行業(yè)下行周期影響，營(yíng)收利潤(rùn)承壓下滑。營(yíng)業(yè)收入5.27億元，同比減少33.92%；凈利潤(rùn)7460萬元，同比減少43.62%。滁州廠主要產(chǎn)品包括小信號(hào)/超小型分立器件及中低端集成電路產(chǎn)品，應(yīng)用于手機(jī)、電源管理、家電、汽車等領(lǐng)域。報(bào)告期受市場(chǎng)因素影響，訂單下降，產(chǎn)能利用率不足導(dǎo)致毛利下降，盈利水平降低。

上半年，宿遷廠營(yíng)業(yè)收入3.95億元，同比減少12.86%；凈利潤(rùn)704萬元，同比減少79.66%。宿遷廠主要產(chǎn)品包括中大功率、FCOL、DISP/SOP等封裝產(chǎn)品，應(yīng)用于照明、家電、電源管理等。報(bào)告期受市場(chǎng)因素影響，訂單下降， 產(chǎn)能利用率不足導(dǎo)致毛利下降，盈利水平降低。

19H1長(zhǎng)電先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)，先進(jìn)工藝產(chǎn)品量產(chǎn)。營(yíng)業(yè)收入12.15億元，同比增加6.30%；凈利潤(rùn)1.13億元，同比減少14.99%。長(zhǎng)電先進(jìn)主營(yíng)半導(dǎo)體芯片凸塊及封測(cè)產(chǎn)品，目前Fan-in和Fan-out ECP進(jìn)入批量生產(chǎn)；Bumping智能化制造已經(jīng)實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)首個(gè)無人化量產(chǎn)應(yīng)用的突破。

上半年，JSCK營(yíng)業(yè)收入1.68億元美元，同比減少43.98%；凈利潤(rùn)-2548萬美元，同比增虧2348萬美元。報(bào)告期受市場(chǎng)因素影響，訂單較上年同期下滑幅度較大，導(dǎo)致大額虧損。

19H1星科金朋營(yíng)業(yè)收入下滑、虧損同比基本持平。實(shí)現(xiàn)營(yíng)收4.58億美元，同比減少24.61%；凈利潤(rùn)-4320萬美元，與上年基本持平。盡管受智能手機(jī)出貨量下滑、部分客戶控制庫存延緩下單導(dǎo)致產(chǎn)能利用率不足，公司收入端有所下滑，但虧損幅度沒有進(jìn)一步擴(kuò)大，公司降本提效仍在加強(qiáng)。

重點(diǎn)關(guān)注星科金朋減虧以及重大戰(zhàn)略客戶機(jī)遇！公司中報(bào)披露，公司在保持原長(zhǎng)電的既有優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)上，將繼續(xù)把工作重心放在星科金朋的減虧和扭虧。同時(shí)，公司也緊緊抓抓重大戰(zhàn)略客戶機(jī)遇，為重大戰(zhàn)略客戶提供從研發(fā)到量產(chǎn)的全面支持，確保新產(chǎn)品順利開發(fā)、導(dǎo)入和上量。

半導(dǎo)體長(zhǎng)多趨勢(shì)確立，封測(cè)產(chǎn)業(yè)拐點(diǎn)顯現(xiàn)

我們?cè)凇度颉靶尽惫拯c(diǎn)》深度報(bào)告中研判半導(dǎo)體行業(yè)短多轉(zhuǎn)向長(zhǎng)多趨勢(shì)確定。由于下游需求復(fù)蘇、受日韓貿(mào)易爭(zhēng)端影響等，從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)框架來看，自華為事件以來引起的中短期需求波動(dòng)已經(jīng)結(jié)束，需求開始復(fù)蘇。5G推進(jìn)帶來的代際切換持續(xù)，長(zhǎng)期需求確定；而供給短期收縮，以及日韓帶來的資本開支遞延，全球半導(dǎo)體供需有望產(chǎn)生拐點(diǎn)，由短多轉(zhuǎn)向長(zhǎng)多。

隨著半導(dǎo)體需求恢復(fù)，行業(yè)有望進(jìn)入去庫存階段。通過對(duì)全球前15名IC設(shè)計(jì)庫存數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)，我們發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司庫存一般存在兩年周期，目前看，19Q1庫存天數(shù)回到歷史的高點(diǎn)78天，預(yù)計(jì)庫存天數(shù)的拐點(diǎn)即將出現(xiàn)，后續(xù)逐漸進(jìn)入去庫存階段，行業(yè)迎來改善，半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來上行周期。

AI、5G需求旺盛，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸持續(xù)轉(zhuǎn)移。國(guó)內(nèi)數(shù)字芯片產(chǎn)業(yè)鏈設(shè)計(jì)-晶圓制造-封測(cè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)動(dòng)力不變，一是AI、5G帶來的邏輯電路行業(yè)本身的成長(zhǎng)；二是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)向大陸轉(zhuǎn)移。據(jù)SEMI估計(jì)，2017年至2020年間全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)，其中在中國(guó)大陸的新廠有26座，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%。

國(guó)內(nèi)封測(cè)行業(yè)持續(xù)發(fā)展壯大，直接受半導(dǎo)體景氣周期影響。國(guó)內(nèi)晶圓代工廠仍處于追趕過程，而封測(cè)行業(yè)已經(jīng)躋身全球第一梯隊(duì)，全球邏輯電路的景氣程度會(huì)直接影響到國(guó)內(nèi)的封測(cè)廠商。大陸封測(cè)公司持續(xù)發(fā)展壯大，市占率持續(xù)上升，已從2011年的4.5%上升到了2017年的20.8%，長(zhǎng)電科技、天水華天、通富微電等封測(cè)廠在行業(yè)里的地位也不斷提升。封測(cè)行業(yè)直接受半導(dǎo)體景氣回升影響，國(guó)內(nèi)封測(cè)廠是最直接受益賽道之一。我們預(yù)計(jì)，隨著半導(dǎo)體行業(yè)景氣度回升，國(guó)內(nèi)封測(cè)廠的業(yè)績(jī)會(huì)明顯改善。

我們認(rèn)為5G手機(jī)從19Q4起逐步出貨也有望顯著提振封測(cè)龍頭的產(chǎn)能利用率及業(yè)績(jī)，在這一波5G手機(jī)換機(jī)周期中移動(dòng)通訊封測(cè)占比越高的公司彈性越大。從長(zhǎng)電和華天下游的拆分來看，兩個(gè)公司移動(dòng)手機(jī)占比都在40%-65%的比例（長(zhǎng)電占比67%更高），代工龍頭臺(tái)積電近期的法說會(huì)反復(fù)強(qiáng)調(diào)5G手機(jī)出貨的節(jié)奏以及硅含量大幅提升，我們預(yù)計(jì)移動(dòng)通訊占比更高的長(zhǎng)電科技在未來4個(gè)季度有望體現(xiàn)出業(yè)績(jī)彈性。

封裝升級(jí)不止，5G SiP大有可為

集成電路封裝技術(shù)的演進(jìn)主要為了符合終端系統(tǒng)產(chǎn)品的需求，為配合系統(tǒng)產(chǎn)品多任務(wù)、小體積的發(fā)展趨勢(shì)，集成電路封裝技術(shù)的演進(jìn)方向即為高密度、高腳位、薄型化、小型化。集成電路封裝封裝技術(shù)的發(fā)展可分為四個(gè)階段，第一階段：插孔原件時(shí)代；第二階段：表面貼裝時(shí)代；第三階段：面積陣列封裝時(shí)代；第四階段：高密度系統(tǒng)級(jí)封裝時(shí)代。

當(dāng)前，全球半導(dǎo)體封裝的主流正處在第三階段的成熟期，F(xiàn)C、QFN、 BGA和WLCSP等主要封裝技術(shù)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，部分產(chǎn)品已開始在向第四階段的SiP、SoC、TSV等先進(jìn)封裝形式邁進(jìn)。長(zhǎng)電科技在高端封裝技術(shù)（如Fan-out eWLB、WLCSP、SiP、BUMP、PoP等）已與國(guó)際先進(jìn)同行并行發(fā)展，在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先水平，并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。

5G射頻封裝要求提升，SiP需求大增

5G對(duì)于封裝需求要求提升，器件封裝微小化、復(fù)雜化、集成化。5G時(shí)代采用高頻的毫米波段對(duì)應(yīng)更小尺寸的射頻元件，其封裝復(fù)雜度大幅提升，對(duì)封裝過程中的連線、墊盤和通孔等結(jié)構(gòu)精密度要求更高，避免妨礙到芯片上的射頻功能。5G時(shí)代，由于越來越多的頻段需求，在射頻前端模組化趨勢(shì)下，RF封裝呈現(xiàn)集成化，SiP解決方案會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用。

集成化方案尺寸小、響應(yīng)快、性能好，2018年占比射頻元件比重超過50%。手機(jī)輕薄化不斷提升，以及射頻元件數(shù)量的增加，因而在有限的內(nèi)部空間，射頻前端呈現(xiàn)了集成化的趨勢(shì)。集成化除了在減少尺寸之外，還具有節(jié)省客戶調(diào)試時(shí)間，縮減手機(jī)研發(fā)周期和提供更好的半導(dǎo)體性能兩大優(yōu)點(diǎn)。未來射頻前端集成化占比會(huì)越來越高，根據(jù)Qorvo數(shù)據(jù)，在2017年已經(jīng)達(dá)到了50%，2018年則成為最主要方案。

5G射頻封裝要求提升，SiP需求大增

5G對(duì)于封裝需求要求提升，器件封裝微小化、復(fù)雜化、集成化。5G時(shí)代采用高頻的毫米波段對(duì)應(yīng)更小尺寸的射頻元件，其封裝復(fù)雜度大幅提升，對(duì)封裝過程中的連線、墊盤和通孔等結(jié)構(gòu)精密度要求更高，避免妨礙到芯片上的射頻功能。5G時(shí)代，由于越來越多的頻段需求，在射頻前端模組化趨勢(shì)下，RF封裝呈現(xiàn)集成化，SiP解決方案會(huì)得到更加廣泛的應(yīng)用。

集成化方案尺寸小、響應(yīng)快、性能好，2018年占比射頻元件比重超過50%。手機(jī)輕薄化不斷提升，以及射頻元件數(shù)量的增加，因而在有限的內(nèi)部空間，射頻前端呈現(xiàn)了集成化的趨勢(shì)。集成化除了在減少尺寸之外，還具有節(jié)省客戶調(diào)試時(shí)間，縮減手機(jī)研發(fā)周期和提供更好的半導(dǎo)體性能兩大優(yōu)點(diǎn)。未來射頻前端集成化占比會(huì)越來越高，根據(jù)Qorvo數(shù)據(jù)，在2017年已經(jīng)達(dá)到了50%，2018年則成為最主要方案。

材料的多樣性要求先進(jìn)封裝技術(shù)，SiP將脫穎而出。隨著移動(dòng)通訊技術(shù)的升級(jí)，射頻芯片采用的工藝也越來越復(fù)雜，對(duì)PA而言最好的工藝是GaAs，對(duì)天線開關(guān)而言最好的工藝是SOI，濾波器則是采用壓電材料。SOC方案難以集成這些不同材料；系統(tǒng)性封裝SiP才能滿足這些要求。因而5G時(shí)代的射頻前端集成化，將采用先進(jìn)封裝技術(shù)。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，移動(dòng)端RF SiP市場(chǎng)規(guī)模將由2018年的33億美金增長(zhǎng)到2023年的53億美金。射頻前端的SiP封裝將進(jìn)入一個(gè)快速增長(zhǎng)期。其中，集成PA、Filter、Swtich的PAMid增長(zhǎng)最快，在射頻前端模組中的比重從23%增長(zhǎng)到39%。

從SiP到AiP，單機(jī)價(jià)值量進(jìn)一步提升

AiP(Antennas in Package)即基于將天線與射頻前端模塊集成在系統(tǒng)級(jí)封裝中的封裝工藝。AiP 技術(shù)很好地兼顧了天線性能、成本及體積，我們通過三星S10 5G的拆機(jī)可以發(fā)現(xiàn)，AiP封裝模塊已經(jīng)正式用于5G手機(jī)，在基于高通方案的5G手機(jī)中，一共采用了三個(gè)基于AiP封裝的高通QTM052模塊，單機(jī)封裝價(jià)值量進(jìn)一步提升！

高通從2018年8月起陸續(xù)發(fā)布QTM052與QTM525毫米波模塊，通過AiP封裝將收發(fā)器、PMIC、PA與天線整合在一起，達(dá)到縮小手機(jī)厚度與減少PCB面積，取代傳統(tǒng)天線與射頻模塊的分散式設(shè)計(jì)。相比AoC（片上天線，antenna on chip），AiP采用了低損耗襯底代替硅，能夠?qū)崿F(xiàn)2-4倍的增益效果。

考量IDM生產(chǎn)成本大多高于封測(cè)代工業(yè)，以及華為與聯(lián)發(fā)科也在積極進(jìn)軍該市場(chǎng)的情況下，我們預(yù)計(jì)封測(cè)廠商極有可能最快于2020年開始爭(zhēng)食AiP訂單。而根據(jù)今年CSTIC公開報(bào)道，長(zhǎng)電科技已經(jīng)聯(lián)合中芯國(guó)際、碩貝德發(fā)布了基于FOWLP封裝的SmartAiP工藝技術(shù)！

根據(jù)CSTIC 2019論壇發(fā)布，中芯長(zhǎng)電（中芯國(guó)際與長(zhǎng)電科技合資設(shè)立）發(fā)布首個(gè)超寬頻雙極化的5G毫米波天線芯片晶圓級(jí)集成封裝SmartAiP（Smart Antenna in Package）工藝技術(shù)。SmartAiP具有集成度高、散熱性好、工藝簡(jiǎn)練的特點(diǎn)，能夠幫助客戶實(shí)現(xiàn)24GHz到43GHz超寬頻信號(hào)收發(fā)、達(dá)到12.5分貝的超高天線增益、以及適合智能手機(jī)終端對(duì)超薄厚度要求等的優(yōu)勢(shì)，并且有進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)射頻前端模組集成封裝的能力。

我們預(yù)計(jì)在中芯國(guó)際與海思加持下，長(zhǎng)電科技有望率先借助自身的先進(jìn)封裝能力率先受益AiP封裝需求提升大趨勢(shì)。

FOWLP：封裝技術(shù)持續(xù)升級(jí)，F(xiàn)OWLP保持高速增長(zhǎng)

扇出型晶圓級(jí)封裝的英文全稱為Fan-Out Wafer Level Packaging，即FOWLP，是指將來自于異質(zhì)制程的多顆晶粒結(jié)合到一個(gè)緊湊封裝中的新方法。由于對(duì)更薄功能和增加I / O數(shù)量設(shè)備的需求，扇出式WLP受到越來越多的關(guān)注。隨著FOWLP技術(shù)不斷發(fā)展，從單芯片應(yīng)用拓展至MCP（多芯片封裝）及3D PoP（堆疊式封裝）等，應(yīng)用于更高I/O芯片的整合中。

FOWLP充分利用RDL做連接，實(shí)現(xiàn)互連密度最大化。傳統(tǒng)的WLP封裝多采用Fan-in型態(tài)，應(yīng)用于低接腳（Pin）數(shù)的 IC。當(dāng)芯片面積縮小的同時(shí)，芯片可容納的引腳數(shù)減少，因此變化衍生出擴(kuò)散型FOWLP封裝形態(tài)，實(shí)現(xiàn)在芯片范圍外充分利用RDL做連接，以此獲取更多的引腳數(shù)。在一個(gè)環(huán)氧行化合物（EMC）中嵌入每個(gè)裸片時(shí)，每個(gè)裸片間的空隙有一個(gè)額外的I/O連接點(diǎn)，這樣I/O數(shù)會(huì)更高并且的對(duì)硅利用率也有所提高，使互連密度最大化，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高帶寬數(shù)據(jù)傳輸。

FOWLP降低封裝成本，減少封裝厚度。相比于扇入型封裝技術(shù)，F(xiàn)OWLP的優(yōu)勢(shì)在于：減小了封裝厚度、擴(kuò)展能力（用于增加 I / O數(shù)量）、改進(jìn)的電氣性能、良好的熱性能以及無基板工藝。扇出WLP在結(jié)構(gòu)上類似于傳統(tǒng)的球柵陣列（BGA）封裝，但是消除了昂貴的襯底工藝。

FOWLP被廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)規(guī)模保持高速增長(zhǎng)。FOWLP封裝最早在2009~2010年由Intel提出，僅用于手機(jī)基帶芯片封裝。一直到2015年以前， FOWLP市場(chǎng)較小且主要應(yīng)用于基帶、RF、PMU等單芯片扇出封裝。2016年，臺(tái)積電將InFO技術(shù)應(yīng)用于iPhone的AP芯片，實(shí)現(xiàn)高密度扇出封裝，并逐漸應(yīng)用于智能手機(jī)、HPC、通訊等各種領(lǐng)域，市場(chǎng)空間在2016~2017年爆發(fā)。根據(jù)yole最新預(yù)測(cè)，F(xiàn)OWLP市場(chǎng)規(guī)模將在2019~2024年的復(fù)合增長(zhǎng)為19%，2024年市場(chǎng)空間將達(dá)到38億美元。日月光和臺(tái)積電一樣，在2016年實(shí)現(xiàn)FOWLP量產(chǎn)，安靠、矽品、力成在2017年緊接著布局。

我們建議密切跟蹤長(zhǎng)電科技Fan-out工藝進(jìn)展，長(zhǎng)電科技通過并購星科金朋切入第二代FOWLP工藝eWLB，主要面向手機(jī)AP與PMIC等封裝。雖然在過去幾年新加坡Fan-out工藝出現(xiàn)產(chǎn)能利用率不足情況，但是我們預(yù)計(jì)隨著閑置設(shè)備持續(xù)搬回長(zhǎng)電先進(jìn)，配合大客戶開發(fā)新一代Fan-in/Fan-out工藝應(yīng)用于手機(jī)AP/HPC/射頻等領(lǐng)域，有望持續(xù)轉(zhuǎn)化為增量營(yíng)收/利潤(rùn)。