轉(zhuǎn)自半導(dǎo)體行業(yè)觀察

昨日，北京耐威科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“公司”)發(fā)布公告，其控股子公司聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聚能晶源”)投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目(一期)已達(dá)到投產(chǎn)條件，于2019年9月10日正式投產(chǎn)。聚能晶源 于同日舉辦了“8 英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”。

據(jù)介紹，聚能晶源位于青島市即墨區(qū)，主要從事半導(dǎo)體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延 材料的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。本項(xiàng)目已投資 5,200 萬(wàn)元人民幣，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為年產(chǎn) 1 萬(wàn)片 GaN 外延晶圓，既可生產(chǎn)提供標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的 GaN 外延晶圓，也可根據(jù)客戶需求 開(kāi)發(fā)、量產(chǎn)定制化外延晶圓。本項(xiàng)目的投產(chǎn)將有利于聚能晶源正式進(jìn)入并不斷開(kāi) 拓第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)，同時(shí)有利于公司 GaN 功率與微波器件設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)的 發(fā)展，最終增強(qiáng)公司在第三代半導(dǎo)體及物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的綜合競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。

而在9月8日，重慶大足區(qū)人民政府官網(wǎng)也宣布，西部地區(qū)首個(gè)氮化鎵外延片工廠聚力成成功試產(chǎn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品——氮化鎵外延片。

官網(wǎng)資料顯示，聚力成半導(dǎo)體有限公司(GLC)，團(tuán)隊(duì)由國(guó)內(nèi)外各大知名半導(dǎo)體公司華籍專家組成，旨在採(cǎi)用GaN核心技術(shù)以實(shí)現(xiàn)電力電子與射頻領(lǐng)域的高速革命。GLC核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)擁有硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延片的開(kāi)發(fā)及生產(chǎn)能力，基于這些技術(shù)，可在芯片生產(chǎn)、封測(cè)服務(wù)實(shí)現(xiàn)了這一革命，該功率IC預(yù)估可將開(kāi)關(guān)速度提高100倍，同時(shí)將節(jié)能提高40%或更多。

在電力電子領(lǐng)域，GLC具備開(kāi)發(fā)6英寸650V/100V硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片技術(shù)能力，實(shí)現(xiàn)650V/15A硅基氮化鎵功率器件的生產(chǎn)工藝。

在微波射頻領(lǐng)域，GLC同樣具有研發(fā)碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)外延材料的技術(shù)能力，技術(shù)團(tuán)隊(duì)在射頻芯片生產(chǎn)工藝的開(kāi)發(fā)，有多年豐富經(jīng)驗(yàn)，未來(lái)產(chǎn)品將定位為射頻通訊和射頻能量市場(chǎng)。

數(shù)據(jù)顯示，GLC於重慶市大足區(qū)建設(shè)第一期硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片工廠計(jì)劃建成年產(chǎn)能24萬(wàn)片的氮化鎵外延片產(chǎn)線和年產(chǎn)能36萬(wàn)片的氮化鎵芯片生產(chǎn)和封測(cè)產(chǎn)線，總投資約50億人民幣。

目前，國(guó)內(nèi)已有多家企業(yè)布局氮化鎵產(chǎn)業(yè)，除了聚力成半導(dǎo)體外和奶味外，另外還有江蘇能華、英諾賽科、三安集成、江蘇華功、大連芯冠和海威華芯等，其中英諾賽科的8英寸Si基GaN生產(chǎn)線已經(jīng)相繼開(kāi)始啟用。早前他們的蘇州工廠也順利封頂。

國(guó)產(chǎn)GaN正式掀起了一個(gè)新時(shí)代，但筆者認(rèn)為，只有技術(shù)過(guò)硬，能拿出產(chǎn)品的公司，才會(huì)是這波潮流的最終勝利者。