9月4日，由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會承辦的“5G芯片論壇”現(xiàn)場可謂“火爆”。與會專家圍繞“5G與集成電路產(chǎn)業(yè)機(jī)遇”的主題，從人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能系統(tǒng)設(shè)計、射頻前端技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)芯片技術(shù)等多個角度探討集成電路產(chǎn)業(yè)在5G時代的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。

中興微電子有線產(chǎn)品中心規(guī)劃總工王志忠：

5G網(wǎng)絡(luò)芯片面臨的挑戰(zhàn)，可以從兩個層面看，一個是基礎(chǔ)的設(shè)計層面，另外一個是新需求層面。目前網(wǎng)絡(luò)速率不斷提高，56G到112G的高速接口都在設(shè)計或即將商用，這是大規(guī)格的芯片。在5G新性能中，還有低功耗、能力效率水平的提升等，因此提出了非常多的挑戰(zhàn)。新特性對芯片架構(gòu)也提出了技術(shù)上的難題，包括網(wǎng)絡(luò)切片、低延時、高可靠性、高精度的時鐘等，海量連接帶來的是對密度或者查表的容量的挑戰(zhàn)。

PZB的設(shè)計可能難度越來越大，所以Gable互聯(lián)方案可能也會逐步應(yīng)用?？梢灶A(yù)見在5年內(nèi)，采用PAM8的200G技術(shù)也會逐步進(jìn)入大家的視野。

在大規(guī)模芯片設(shè)計上，因為系統(tǒng)越來越精簡，集成度越來越高，所有的接口、網(wǎng)絡(luò)處理器、CPU，包括背板的交換、路由，各種功能都集成在一起，必然會導(dǎo)致芯片的規(guī)模越來越大。大芯片的挑戰(zhàn)會在哪里?一是良率，信號完整性、電源完整性挑戰(zhàn)都非常大。新的芯片里面經(jīng)常用2.5D封裝技術(shù)，如3Dmemory的合封，ASIC的分割，還有芯片尺寸比較大，需要做一些切分時，都會用到這種封裝技術(shù)，中間需要高速的接口互聯(lián)。二是芯片的帶寬越來越高，1T或者2T的移動網(wǎng)交換芯片在業(yè)界看來并不是很高的速度，但緩存的帶寬發(fā)展并沒有那么快，所以才會驅(qū)動了類似于HPM、GDDR技術(shù)的出現(xiàn)，中興微電子目前采用了不少這樣的設(shè)計方法。三是低功耗設(shè)計。

在5G的大連接中，MMTC海量的機(jī)器連接對芯片的設(shè)計帶來的影響，主要體現(xiàn)在接口層面，因為接口數(shù)量非常多，有各種端口數(shù)量，包括邏輯端數(shù)量非常多，設(shè)計上主要是采用TDM的接口邏輯，和動態(tài)接口緩存技術(shù)實(shí)現(xiàn)。海量的連接挑戰(zhàn)還表現(xiàn)在存儲上，查抄表的容量非常大，需要用2.5D封裝的memory，包括3D的memory技術(shù)。