（觀察者網訊）

9月20日，長鑫存儲技術有限公司在大會上宣布：總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目正式投產，其與國際主流動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）同步的10納米級第一代8Gb DDR4在大會上首度亮相，一期設計產能達每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將會送到客戶手中 。

DRAM是最常見的系統(tǒng)內存，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據高速公路”，廣泛用于PC、手機、服務器等領域，是集成電路產業(yè)產值占比最大的單一芯片品類。中國是該芯片最大的應用市場，自主產能卻匱乏，韓國三星、海力士、美國美光壟斷了該產業(yè)95%的產能。

據微信公號“合肥發(fā)布”介紹，長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目，2016年由合肥市產業(yè)投資（控股）集團有限公司和北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司合作投資，是中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產運營團隊的DRAM項目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，以打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地為目標。

當時長鑫存儲項目與長江存儲和福建晉華并稱為中國存儲產業(yè)的三大探路者，備受業(yè)界矚目。目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。

中國科學技術大學特聘教授陳軍寧等業(yè)內權威專家表示，長鑫存儲正式投產標志我國在內存芯片領域實現(xiàn)量產技術突破，擁有了這一關鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產能。

長鑫存儲技術有限公司董事長兼首席執(zhí)行官朱一明透露，長鑫存儲投產的產品是現(xiàn)在全球市場上的主流產品，另一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

另外據中國電子報報道，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱在日前舉辦的中國閃存技術峰會(CFMS)上的介紹，合肥長鑫基于授權所得的奇夢達相關技術和從全球招攬的極具豐富經驗的人才，長鑫存儲借助先進的機臺已經把原本奇夢達的46納米DRAM平穩(wěn)推進到了10納米級別。公司目前也已然開始了在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實現(xiàn)的新技術探索。

有分析稱，長鑫存儲填補了國內DRAM的空白，有望突破韓國、美國企業(yè)在國際市場的壟斷地位。

此外，全球半導體聯(lián)盟GSA日前宣布，合肥長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明將成為聯(lián)盟董事會成員。全球半導體聯(lián)盟在全球擁有來自超過25個國家和地區(qū)的250多家企業(yè)會員，代表著產值4500億美元的半導體產業(yè)中70%的力量，涵蓋了從初創(chuàng)公司到行業(yè)巨頭的公共和私營企業(yè)，其中100家為上市公司。

此前，中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官趙海軍是董事會內唯一代表中國大陸半導體企業(yè)的成員，這次朱一明的加入代表著國產儲存正式邁進高端玩家俱樂部，使得國產半導體在國際舞臺中再多了一份話語權。

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