（文/觀察者網 呂棟）6月20日，紫光集團發(fā)布消息，由長江存儲實施的國家存儲器基地項目二期（土建）在武漢東湖高新區(qū)開工，規(guī)劃產能20萬片/月，達產后與一期項目合計月產能將達30萬片。

不容忽視的是，行業(yè)龍頭三星近期也在閃存領域動作頻頻。6月1日，其宣布將在韓國平澤工廠擴產NAND閃存芯片，同時該公司在西安的閃存項目也在持續(xù)擴大投資，計劃建成全球規(guī)模最大閃存芯片制造基地。

觀察者網注意到，受上述消息影響，今天A股早盤，光刻膠、半導體、國產芯片等板塊紛紛走強。個股方面，瑞芯微、北方華創(chuàng)、中微公司、北京君正、華特氣體、華峰測控等集成電路概念股均大幅上漲。

A股半導體板塊今日股價信息

一期主要實現(xiàn)技術突破

紫光集團介紹，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。

其中，項目一期于2016年底開工建設，進展順利，32層、64層存儲芯片產品已實現(xiàn)穩(wěn)定量產。

在開工儀式上，紫光集團、長江存儲董事長趙偉國表示，國家存儲器基地項目一期開工建設以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領先的存儲器芯片工廠，實現(xiàn)了技術水平從跟跑到并跑的跨越。

今年4月，在64層閃存量產7個月后，長江存儲宣布新的研發(fā)進展，其跳過96層，成功研制出業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量的128層閃存。

談及量產時間，長江存儲當時向觀察者網表示，配合前述產能，128層NAND閃存將于今年年底到明年上半年陸續(xù)量產。

2019年9月，長江存儲核心廠區(qū)   圖片來源：長江存儲官網

西南證券6月21日分析指出，長江存儲一期主要實現(xiàn)技術突破，并建成10萬片月產能，計劃將于2020年底滿產，考慮到國外廠商擴產情況，屆時長江存儲市全球占率將達5%左右。

“2018年長江存儲突破32層3D閃存，與國外差距3-4年；2019年其實現(xiàn)64層技術量產，與國外差距縮小至2年；今年4月，長江存儲128層QLC 3D閃存研制成功，若128層年底實現(xiàn)量產，則與三星、海力士、美光等國外廠商技術差距縮小至1年，一期的技術突破任務已基本完成?！痹撊谭治龇Q。

華創(chuàng)證券分析指出，存儲器是信息系統(tǒng)的基礎核心芯片，最能代表集成電路產業(yè)規(guī)模經濟效益和先進制造工藝，也是中國進口金額最大的集成電路產品。近些年內存、固態(tài)硬盤、顯卡價格屢現(xiàn)上漲，根源在于存儲芯片掌握在少數(shù)國外廠家手中。國產化將降低國內半導體產品成本，并提升上游設備公司訂單。

6月9日，基于二季度數(shù)據(jù)，SEMI（國際半導體產業(yè)協(xié)會）調整2021年全球晶圓廠設備開支規(guī)模的預測值，由此前預估的657億美元上調至創(chuàng)紀錄的677億美元，預計同比增長率為24%。其中，存儲器工廠的設備開支規(guī)模最大，預計達到300億美元。

前述券商統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，截至今年6月20日，國內設備廠商在長江存儲中標數(shù)量排名依次為：北方華創(chuàng)（中標56臺）、屹唐（46）、中微公司（38）、盛美半導體（18）、華海清科（11）、精測電子（8）、沈陽拓荊（5）、中科飛測（3）、睿勵（2），覆蓋刻蝕、沉積、檢測、清洗、CMP多個領域。