6月15日，《日經(jīng)亞洲評論》報道稱，日本將與美國合作，最早于2025年在日本本土建成2nm芯片制造基地，以便加入下一代芯片技術(shù)的商用化競爭。該報道提到，日美兩國政府將根據(jù)雙邊芯片技術(shù)合作伙伴關(guān)系提供支持，兩國民間企業(yè)將在設(shè)計和量產(chǎn)方面進行研究。

《日經(jīng)亞洲評論》報道截圖

目前，臺積電在芯片先進制程上處于全球領(lǐng)先地位，計劃2025年量產(chǎn)2nm工藝，但該公司通常不會把最先進的工廠建在臺島以外。過去兩年，臺積電相繼宣布在美國和日本建設(shè)芯片工廠，其中美國工廠計劃在2024年量產(chǎn)5nm，日本工廠計劃在2024年量產(chǎn)10nm至20nm芯片。

日經(jīng)亞洲報道稱，日本希望通過在本土生產(chǎn)新一代半導體，確保穩(wěn)定供應。為實現(xiàn)這一目標，日本和美國企業(yè)有望聯(lián)合成立新公司，或者日本企業(yè)可以建立一個新制造中心。日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將補貼部分研發(fā)費用和資本支出。該報道提到，日美最早將于今年夏天開始共同研究，并在2025 -2027年之間建立研究和量產(chǎn)中心。

更先進的芯片制程可以幫助設(shè)備小型化和性能的提高。日媒稱，2nm芯片將用于量子計算機、數(shù)據(jù)中心和高端智能手機等產(chǎn)品，這些芯片還能減少電力消耗，減少碳排放。而且芯片大小也將影響戰(zhàn)斗機和導彈等軍事裝備的性能。從這個角度來看，2nm芯片與國家安全直接相關(guān)。

臺積電技術(shù)路線圖

今年5月初，日美達成一項基本原則，包括日美在內(nèi)的“志同道合”的國家將共同推進地區(qū)半導體供應鏈建設(shè)。日美雙方將在即將舉行的“2+2”內(nèi)閣經(jīng)濟官員會議上討論合作細節(jié)。上周，日本內(nèi)閣批準了首相岸田文雄的“新資本主義”議程，概述了在10年內(nèi)通過與美國的雙邊公私合作建立芯片設(shè)計和制造基地的計劃。

除臺積電外，三星和英特爾也正在布局2nm芯片制造。其中，三星芯片代工業(yè)務的高管曾在去年10月透露，該公司有望在2025 年下半年使用其2nm制造工藝量產(chǎn)芯片。英特爾則在今年4月透露，預計下一代Intel 18A制程（相當于1.8nm）將提前在2024年下半年投產(chǎn)。

日經(jīng)亞洲報道稱，日本國立研究機構(gòu)“產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所”（National Institute of Advanced Industrial Science and Technology）正在開發(fā)先進半導體生產(chǎn)線的制造技術(shù)，包括那些用于2nm工藝的生產(chǎn)線，像東京電子和佳能這樣的芯片制造設(shè)備制造商，以及IBM、英特爾和臺積電，都已經(jīng)加入其中。

“日本擁有信越化學和Sumco等實力強勁的芯片材料制造商，而美國擁有芯片制造設(shè)備巨頭應用材料，芯片制造商和主要供應商之間的合作旨在實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)技術(shù)?！痹搱蟮婪Q。

日媒的預期很美好，但客觀來說，現(xiàn)在談論2nm制程可能有些為時過早，畢竟臺積電和三星的3nm還未實現(xiàn)量產(chǎn)。

按照計劃，三星已宣布將搶先臺積電一步在2022年上半年量產(chǎn)3nm制程，而臺積電之前透露的3nm量產(chǎn)時間是2022年下半年。不過近期行業(yè)分析師郭明錤在推特上爆料，臺積電3nm和4nm改良版直到2023年才能實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，將導致今年的新款iPhone只能使用5nm改良版和4nm制程。

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