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中國存儲器能否打破海外壟斷?
關(guān)鍵字: 中國存儲器本文來自“中金公司”,文|黃樂平。
全球市場概覽:千億美金市場,寡頭競爭,IDM模式盛行
根據(jù)WSTS的統(tǒng)計,全球存儲器行業(yè)營收2017年達到1319億美元,占半導(dǎo)體行業(yè)收入的30.1%,過去五年(2012-2017)年復(fù)合增長率高達37%。
主要驅(qū)動力包括智能手機和數(shù)據(jù)中心服務(wù)器。在2018-2020年,行業(yè)年化收入增速將維持在8%上下,有放緩趨勢。
從產(chǎn)品形態(tài)來看,存儲器主要包括:
1) NAND(閃存,屬于非易失性存儲器),2017年市場規(guī)模達540億美元,主要用于大容量外部存儲;
2) DRAM(動態(tài)隨機存儲器,屬于易失性存儲器),2017年市場規(guī)模730億美元,主要用于設(shè)備內(nèi)存;
3) NOR(閃存,非易失性存儲),2017年市場規(guī)模23億美元,主要用于存儲固定代碼。其他存儲器類型還包括SRAM(易失性存儲)和幾種ROM(非易失性存儲),但市場普及度都比較低。
從競爭格局來看,通過多年行業(yè)整合,行業(yè)呈現(xiàn)寡頭壟斷態(tài)勢。
根據(jù)IDC的統(tǒng)計,1Q18DRAM存儲器行業(yè)實現(xiàn)營業(yè)收入232億美元,三星、SK海力士、鎂光三家分別擁有46%,27%,23%的市場份額,前三甲合計市占率超過95%。
1Q18NAND存儲器行業(yè)規(guī)模136億美元,三星,東芝/西部數(shù)據(jù)、SK海力士、鎂光分別擁有42%,29%,13%及12%的市場份額。
NOR方面,旺宏目前市占率最大,我國的兆易創(chuàng)新(Gigadevice)有8%左右的市場份額。
產(chǎn)業(yè)鏈的前半段:
全球主要存儲器廠商主要采取設(shè)計、制造、封測一體的IDM,原因在于存儲器行業(yè)的技術(shù)競爭激烈且規(guī)模效應(yīng)強,要依靠大產(chǎn)能來降成本,獲取更多盈利。
且IDM模式能更好的實施設(shè)計與制造的溝通,在效率上優(yōu)于Fabless+Foundry分工,尤其是在技術(shù)演進的過渡時期優(yōu)勢明顯。
走“虛擬IDM的模式”也似乎可行,F(xiàn)abless鎖定代工產(chǎn)能,二者展開深度合作,例如兆易創(chuàng)新。
再看產(chǎn)業(yè)鏈的后半段:
目前,雖有存儲廠商外包封測業(yè)務(wù),但80%以上的封裝測試仍由IDM進行。存儲顆粒不能在整機中直接使用,模組的生產(chǎn)也是必要環(huán)節(jié)。
DRAM模組方面,Kingston占據(jù)了絕對統(tǒng)治地位;NAND方面,三星在閃存顆粒上的優(yōu)勢得以延續(xù),市占率領(lǐng)先。
此外,閃存盤還離不開控制器的輔助,第三方廠商如群聯(lián)、慧榮、Marvell都有著穩(wěn)固的市場地位,我國的江波龍也有一定份額。
DRAM:三足鼎立,2017年受數(shù)據(jù)中心驅(qū)動增長強勁,目前下行周期降至
市場規(guī)模及應(yīng)用細分
2017年全球DRAM市場規(guī)模730億美元,過去五年(2012-2017)CAGR達22.7%。按bit需求來算,根據(jù)iHS的統(tǒng)計,2017DRAM存儲容量需求達948億GB,同比增長28.2%,過去5年(2012-2017)保持年化27.5%增長。
DRAM顆粒制造市場呈現(xiàn)寡頭競爭的態(tài)勢。按2017年營業(yè)收入統(tǒng)計,前三位中三星、SK海力士、鎂光三家存儲器公司合計占據(jù)了95%以上的市場份額。
按下游應(yīng)用來分,目前,DRAM芯片在智能手機及服務(wù)器領(lǐng)域的用量需求最大,以bit計算,分別占到總需求的42%及28%。
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根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù),得益于數(shù)據(jù)中心數(shù)量及規(guī)模上升的強大驅(qū)動,2017年服務(wù)器DRAM的bit需求增長已經(jīng)超過智能手機。2018年上半年服務(wù)器DRAM需求增長仍然強勁。
從產(chǎn)品種類來看,為了滿足更高的工作頻率及帶寬需求,在各終端應(yīng)用中,目前DDR4產(chǎn)品已經(jīng)逐漸對DDR3實現(xiàn)替代成為主流。
根據(jù)IDC的數(shù)據(jù),按出貨量拆分,DDR4占比已達42%,與DDR3(占比47%)相當(dāng)接近。
行業(yè)周期位置
存儲行業(yè)與整個半導(dǎo)體行業(yè)一致,景氣度隨供求關(guān)系呈周期性變化。
我們看到,在整個智能手機驅(qū)動的半導(dǎo)體行業(yè)周期內(nèi),2016年DRAM市場達到相對低點,2017開始出現(xiàn)供不應(yīng)求,行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展幾乎同步向好,雖然它們的財務(wù)狀況不盡相同,產(chǎn)能增加情況也不盡相同。
但一旦產(chǎn)能釋放,市場正日益走向供需平衡,整個行業(yè)“一榮俱榮,一損俱損”的情況將不復(fù)存在,公司間競爭加劇,營業(yè)利潤率承壓下行。但市占率領(lǐng)先的廠商受影響相對較小。
目前智能手機出貨量放緩后,AI、5G等新應(yīng)用還未能對DRAM需求形成規(guī)模性刺激。從宏觀角度來看,ASP同比增速我們認為DRAM自2018年三季度起將正式進入下行周期,高端DDR4產(chǎn)品ASP開始松動,出現(xiàn)軟著陸。
根據(jù)Yole的預(yù)測,樂觀情況下,2018年DRAM存儲器市場規(guī)模將接近1000億美元,2019年增速明顯放緩,市場規(guī)模將趨于穩(wěn)定。
供需關(guān)系與價格
在經(jīng)歷2015年的供需失衡的慘淡后,2016年DRAM價格企穩(wěn),重新回到上升周期。
特別是到了2017年,北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁,以及DRAM供給端產(chǎn)能與制程受限下(各廠商高容量模組占比仍然有限,1Xnm剛開始導(dǎo)入或處于產(chǎn)能爬坡階段),并不能滿足整體服務(wù)器內(nèi)存市場需求,服務(wù)器用DRAM供不應(yīng)求的情形在下半年比較顯著,帶動DRAM持續(xù)價格上揚,與3Q16價格相比已經(jīng)翻倍,PC端情況類似,手機DRAM價格也有40%以上增長。進入2018年后,產(chǎn)能逐漸釋放,對于ASP來講影響將會是負面的。
目前DDR3產(chǎn)品的價格已經(jīng)開始松動,DDR4價格預(yù)計在產(chǎn)能開出后也將受供求關(guān)系影響進入下行周期。
回到Wafer投片情況來看,根據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù),2017年三星出貨量仍居第一位,4Q17投片量360-400K,SK海力士以280K左右的投片量位居第二,鎂光位居第三。到今年年底,三星將擴產(chǎn)至460-480K左右,海力士有擴產(chǎn)計劃,而鎂光產(chǎn)量基本持平。
產(chǎn)能逐漸釋放,勢必在2019年將對供需關(guān)系產(chǎn)生影響,進而影響價格。
如前文所述,服務(wù)器端DRAM需求量近兩年來增長迅猛,在未來3-5年內(nèi),服務(wù)器DRAM占比將可能達到40%。根據(jù)DrameXchange預(yù)測,4Q17服務(wù)器32GBDRAM占比已達61%,在4Q18將上升至74%左右,帶動DDR4需求。
此外,這一輪DRAM的景氣,和中國手機客戶DRAM需求增多也有關(guān)聯(lián)。但向前看,智能手機出貨量增長放緩至低個位數(shù),數(shù)據(jù)中心數(shù)量及規(guī)模增長也很難維持在高位。
結(jié)合IDC的數(shù)據(jù),到2019年后,產(chǎn)能釋放,供應(yīng)充足率將轉(zhuǎn)為正值,市場供過于求,屆時DRAM存儲器將面臨價格壓力。
雖然AI、5G等新應(yīng)用必然帶來DRAM的新一輪上升周期。但以目前的可見度來看,這個時間點要到2020年甚至更晚才會出現(xiàn)。
NAND:SSD需求逐漸取代手機,2017景氣不再,價格下滑,市場增速放緩
市場規(guī)模及應(yīng)用細分
2017年全球NAND市場規(guī)模540億美元,過去五年(2012-2017)CAGR達18.5%。按bit計算,根據(jù)iHS的統(tǒng)計,2017DRAM存儲容量需求達1727億GB,同比增長34.3%,過去三年(2014-2017)保持年化42.8%高速增長。
相較DRAM,NAND顆粒制造的競爭格局更加多元化。除三星電子擁有39%的市占率遙遙領(lǐng)先外,東芝+西部數(shù)據(jù)合計市占率為32%、SK海力士、鎂光的市場份額均位于10-20%的區(qū)間,實力不相上下。
NAND閃存方面,由于AI、高性能計算等新應(yīng)用帶動數(shù)據(jù)中心工作量與日俱增,計算用大容量SSD很大程度上推動了NAND需求的擴大。
從2016年起,SSD的bit需求增長已經(jīng)領(lǐng)先于智能手機與平板電腦。從絕對需求量(按bit)來看,2017年SSD占比已經(jīng)達到45%,與手機的48%占比不相上下,充分說明SSD將成為整個NAND的主流應(yīng)用的趨勢。
從產(chǎn)品種類來看,MLC/TLC型NAND可在一個單元內(nèi)存儲多個bit數(shù)據(jù),雖然可靠性略差、壽命較短,但憑借良好的性價比和容量,普及度遠超SLC。
隨著平面結(jié)構(gòu)微縮極限的到來,NAND存儲器不得不轉(zhuǎn)向3D結(jié)構(gòu)發(fā)展,3DNAND出貨量占比不斷提升,目前已經(jīng)占到全球的26%左右。中國的長江存儲(YMTC)也進入了3DNAND陣營。
行業(yè)周期位置
與DRAM無異,NAND存儲器市場仍然呈現(xiàn)周期性波動。
2016年上半年存儲器價格暴跌后市場到達底部,下半年需求開始回暖,產(chǎn)能逐漸擴張。
2017年開始,由于技術(shù)向64層3DNAND遷移,產(chǎn)能放量較緩,市場供貨緊俏。而到了2018年,產(chǎn)能開出,NAND供過于求,行業(yè)進入新的下行周期。
根據(jù)Yole預(yù)測,在NAND存儲器ASP下降的同時,對需求同樣構(gòu)成一定刺激,2018年NAND存儲器市場規(guī)模將達到640億美元左右,同比增長14.8%,2019年起市場規(guī)模增速放緩,趨于穩(wěn)定。
在AI等新應(yīng)用對行業(yè)形成有效驅(qū)動前,增速與17年難以相比。
各廠商NAND產(chǎn)品營業(yè)利潤率表現(xiàn)與整個行業(yè)一致,呈周期性波動,且目前已經(jīng)對行業(yè)下行趨勢有所反應(yīng)。但整體看來,市占率高的廠商的營業(yè)利潤率歷史表現(xiàn)相對穩(wěn)定,如三星、東芝。
此外我們發(fā)現(xiàn),進入下行周期后,龍頭廠商在利潤率上的變化最為迅速,我們認為這也是其憑借大規(guī)模、低成本優(yōu)勢,在下行周期內(nèi)靠低價來打壓競爭對手的體現(xiàn)。
- 原標題:中國存儲器能否打破海外壟斷?
- 責(zé)任編輯:程北墨
- 最后更新: 2019-03-06 17:50:54
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