【文/觀察者網(wǎng) 齊倩】2月10日，英國《金融時報》刊文稱，近年來，中國領(lǐng)先的存儲芯片生產(chǎn)商長鑫存儲在動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）領(lǐng)域飛速發(fā)展。多名分析人士預(yù)測，長鑫存儲預(yù)計將出現(xiàn)“滾雪球式”增長，迅速搶占全球市場份額，繼而威脅其韓國競爭對手三星、SK海力士在該領(lǐng)域的“主導(dǎo)地位”。

文章注意到，總部位于安徽合肥的長鑫存儲發(fā)展迅速，目前正與中國人工智能公司DeepSeek聯(lián)手，加強(qiáng)中國減少對人工智能等先進(jìn)領(lǐng)域外國技術(shù)依賴的努力。

據(jù)深圳咨詢公司前瞻的數(shù)據(jù)，在全球900億美元的DRAM存儲器市場中，長鑫存儲的份額從2020年的接近零上升至去年的5%。DRAM主要用于服務(wù)器、計算機(jī)和移動設(shè)備。

同時，作為中國最大的DRAM生產(chǎn)商，長鑫存儲還帶領(lǐng)中國努力打入日益增長的高帶寬內(nèi)存（HBM）市場。HBM是運(yùn)行ChatGPT 、DeepSeek等人工智能系統(tǒng)的關(guān)鍵組件。

據(jù)介紹，長鑫存儲成立于2016年，當(dāng)時中國幾乎還不具備自主生產(chǎn)DRAM芯片的能力。但到了2019年，該公司已開始大規(guī)模生產(chǎn)LPDDR4芯片，這是當(dāng)時最先進(jìn)的DRAM內(nèi)存產(chǎn)品類別。

咨詢公司TechInsights 副主席丹·哈奇森表示，雖然長鑫存儲的全球市場份額仍然相對較小，且主要集中在中國，但其在高度商品化的DRAM領(lǐng)域的快速發(fā)展正在產(chǎn)生“滾雪球效應(yīng)”。

“你獲得的市場份額越大，產(chǎn)量就會越大，收益率就會越高，繼而降低生產(chǎn)成本。而這意味著，你的市場份額將繼續(xù)擴(kuò)大，”哈奇森解釋說，“20世紀(jì)80年代和90年代，韓國人正是通過這種方式將日本人擠出了內(nèi)存領(lǐng)域，而現(xiàn)在，歷史正在重演?！?

2019年5月15日，長鑫存儲首次亮相國際論壇 長鑫存儲官網(wǎng)

《金融時報》表示，長鑫存儲的快速崛起，正在威脅韓國芯片制造商三星、SK 海力士及美國芯片制造商美光在該領(lǐng)域的傳統(tǒng)主導(dǎo)地位。到2023年，這三家公司合計占據(jù)DRAM全球收入的96%。

總部位于日本的金融服務(wù)機(jī)構(gòu)野村證券亞太區(qū)股票研究聯(lián)席主管CW Chung表示：“隨著長鑫存儲的崛起，韓國芯片制造商正面臨一個新的現(xiàn)實(shí)，即中國產(chǎn)品將占據(jù)低端市場?！彼a(bǔ)充道：“這不是技術(shù)優(yōu)勢的問題，而是數(shù)量的問題，這意味著三星尤其受到供應(yīng)過剩和芯片價格下跌的沉重打擊。”

根據(jù)野村證券報告，長鑫存儲還在積極提高其LPDDR4產(chǎn)量，將產(chǎn)能從2022年的每月7萬片晶圓提高到 2024年底的預(yù)計每月20萬片，這足以確保全球DRAM市場的15%的份額。這導(dǎo)致舊款DRAM芯片價格下跌，侵蝕了三星和SK海力士的利潤率，并迫使這兩家韓國公司退出低端市場。

上個月，三星表示，由于DRAM和Nand（閃存芯片）增長有限，該公司將減少對傳統(tǒng)內(nèi)存半導(dǎo)體的投資。SK海力士上個月承認(rèn)，中企在DRAM領(lǐng)域的擴(kuò)張，導(dǎo)致其去年第四季度營業(yè)利潤略低于分析師預(yù)期。該公司的去年第四季度營業(yè)利潤較第三季度下降了29％。

哈奇森稱：“三星發(fā)現(xiàn)自己陷入了困境，一方面，高端市場正受到SK海力士和美光的擠壓；另一方面，低端市場受到長鑫存儲的擠壓。”

長鑫存儲生產(chǎn)的LPDDR5 長鑫存儲官網(wǎng)

《金融時報》還提到，半導(dǎo)體行業(yè)咨詢公司SemiAnalysis稱，去年，長鑫存儲開始量產(chǎn)最先進(jìn)的LPDDR5芯片。長鑫存儲2023年首次推出了其最新的LPDDR5 DRAM存儲芯片。

今年1月，加拿大咨詢公司TechInsights的一名分析人士告訴彭博社，量產(chǎn)LPDDR5，意味著該公司“找到了設(shè)計和制造這種商業(yè)規(guī)模芯片的獨(dú)特方法”。該人士稱，他們原本預(yù)計長鑫存儲要到2025年底或2026年初才能具備量產(chǎn)LPDDR5的能力。

香港《南華早報》當(dāng)時援引分析稱，盡管受到美國制裁，長鑫存儲的進(jìn)步仍為中國在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域樹立了標(biāo)桿。這代表該公司突破了美國出口限制，縮小了與國際領(lǐng)先企業(yè)的技術(shù)差距。

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