今年資本開支近300億

目前，全球晶圓產(chǎn)能持續(xù)緊張。盡管10nm及以下工藝被美國限制，但在14nm及以上工藝所需設(shè)備獲得許可后，中芯國際仍可以在成熟制程方面大展身手，畢竟中國市場大量的Fabless，暫時還用不到5nm。

根據(jù)咨詢機構(gòu)“芯謀研究”推出的《中國芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)年度報告》，2020年中國芯片設(shè)計產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)到442億美元，到2025年，這一數(shù)字將超過1000億美元，年復(fù)合增長率（CAGR）超過20%。

數(shù)據(jù)來源：芯謀研究

展望2021年，中芯國際透露，今年重點工作是，在持續(xù)堅持依法合規(guī)經(jīng)營的前提下，第一，繼續(xù)與供應(yīng)商、客戶及相關(guān)政府部門緊密合作、積極溝通，推進(jìn)出口許可申請工作，盡最大努力保障運營連續(xù)性；第二，爭取盡快擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶需求。

全年目標(biāo)及計劃如下：

收入目標(biāo)為中到高個位數(shù)成長。其中，上半年收入目標(biāo)約139億元；全年毛利率目標(biāo)為百分之十到二十的中部。資本開支為280.9億元，其中大部分用于成熟工藝的擴(kuò)產(chǎn)，小部分用于先進(jìn)工藝、北京新合資項目土建及其它。

中芯國際補充稱，該公司給出的全年預(yù)期，是基于運營連續(xù)性不受重大不利影響這個前提。該全年預(yù)期并不構(gòu)成該公司對2021年度的業(yè)績承諾，該預(yù)期能否實現(xiàn)取決于市場狀況變化、國際地緣政治形勢的變化、全球供應(yīng)鏈變化、公司經(jīng)營等諸多因素，存在不確定性。

財報截圖

對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來走向，各方有不同看法。今年1月，方正證券曾發(fā)布研報稱，通過復(fù)盤近三年美國的三輪芯片封鎖，首先可以總結(jié)出中國半導(dǎo)體發(fā)展的三個階段：

第一輪封鎖：2019年5月限制華為終端的上游芯片供應(yīng)商，目的是卡住芯片下游成品；

第二輪封鎖：2020年9月限制海思設(shè)計的上游晶圓代工鏈，目的是卡住芯片中游代工；

第三輪封鎖：2020年12月限制中芯國際上游半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，本質(zhì)是卡住芯片上游設(shè)備。

該券商認(rèn)為，為應(yīng)對這種生存環(huán)境的巨變，中國半導(dǎo)體工業(yè)也進(jìn)行了三輪大級別的調(diào)整：

第一個階段：終端廠帶動上游設(shè)計和封測。2019年華為被美國列入實體清單后，將相當(dāng)部分的芯片訂單轉(zhuǎn)移到國內(nèi)“備胎”供應(yīng)鏈，直接顯著推動了國產(chǎn)芯片設(shè)計（模擬、數(shù)字、射頻、存儲）和封測公司收入、業(yè)績的加速增長，這也是2019年開啟的A股半導(dǎo)體牛市背后的原因。

第二個階段：Fabless帶動上游晶圓代工廠。在海外Fab廠不能為華為海思提供晶圓代工后，國產(chǎn)晶圓廠成為替代必選方案，中芯國際經(jīng)過多年的發(fā)展，在國產(chǎn)Fabless巨頭的通力配合下，已經(jīng)在2020年量產(chǎn)14nmFinFET工藝，并向N+1節(jié)點過渡，這是中國集成電路行業(yè)歷史性突破。

第三個階段：晶圓廠帶動上游設(shè)備和材料。在FinFET工藝陸續(xù)突破之際，2020年末美國新一輪實體清單直接指向中芯國際，因為半導(dǎo)體設(shè)備是晶圓廠的底盤，而美系設(shè)備商大約占據(jù)一條Fab產(chǎn)線的50%份額（PVD、刻蝕機、CVD、Imp、Clean、Furnace），AMAT、LAM、KLAC都是全球壟斷級別的設(shè)備巨頭，在先進(jìn)節(jié)點工藝上依舊無可替代。但是在成熟工藝節(jié)點，國產(chǎn)和日本設(shè)備可以實現(xiàn)相當(dāng)程度的替代。

方正證券指出，當(dāng)下擺在中國半導(dǎo)體工業(yè)主要矛盾已經(jīng)不是缺少工藝，而是缺少半導(dǎo)體設(shè)備和材料。未來，中國半導(dǎo)體將走向成熟工藝、走向雙循環(huán)、走向根技術(shù)（半導(dǎo)體設(shè)備、材料）。

令人欣慰的是，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)鏈也在持續(xù)取得突破。

今年3月，中國電科旗下裝備子集團(tuán)成功實現(xiàn)離子注入機全譜系產(chǎn)品國產(chǎn)化；中微公司的5nm刻蝕機早已進(jìn)入臺積電供應(yīng)鏈；南大光電第一只國產(chǎn)ArF光刻膠（可用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點）已通過產(chǎn)品驗證；滬硅產(chǎn)業(yè)2018年已實現(xiàn)300mm（12英寸）硅片國產(chǎn)化；而國家02專項光刻機項目二期中，設(shè)定2020年12月驗收193nmArF浸沒式DUV光刻機，其制程為28nm。

相信隨著國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)取得突破，中國芯片被“卡脖子”的環(huán)節(jié)會越來越少。

圖片來源：芯謀研究

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