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中國(guó)5G芯片關(guān)鍵材料獲突破 處于國(guó)際領(lǐng)先水平
關(guān)鍵字: 5G蕪湖新聞網(wǎng)2月21日消息,記者近日從西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院獲悉,作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項(xiàng)目,國(guó)產(chǎn)化5G通信芯片用氮化鎵材料日前在西電蕪湖研究院試制成功,這標(biāo)志著今后國(guó)內(nèi)各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片,有望用上國(guó)產(chǎn)材料。
據(jù)介紹,氮化鎵半導(dǎo)體材料具有寬帶隙、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)、高電子飽和漂移速度、強(qiáng)抗輻射能力和良好化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越物理化學(xué)性質(zhì)。成為繼第一代半導(dǎo)體硅、第二代半導(dǎo)體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關(guān)鍵材料,特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。
西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室,研發(fā)出全國(guó)產(chǎn)的基于碳化硅襯底的氮化鎵材料,目前在國(guó)際第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平,將助力5G通信制造領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。西電蕪湖研究院技術(shù)總監(jiān)陳興表示,研究院目前已經(jīng)掌握了氮化鎵材料的生產(chǎn)和5G通信芯片的核心設(shè)計(jì)與制造能力。下一步他們將盡快將這項(xiàng)技術(shù)商用,力爭(zhēng)早日推向市場(chǎng)。
標(biāo)簽 5G- 原標(biāo)題:中國(guó)5G芯片關(guān)鍵材料獲突破 處于國(guó)際領(lǐng)先水平
- 責(zé)任編輯:呂棟
- 最后更新: 2019-02-22 10:31:26
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