來源：中國電子報(bào)

SEMI發(fā)布預(yù)測(cè)報(bào)告，2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將下降14％，約為530億美元，預(yù)計(jì)2020年會(huì)出現(xiàn)27％的復(fù)蘇。在存儲(chǔ)器行業(yè)放緩的影響下，晶圓廠設(shè)備支出連續(xù)三年持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)告一段落。不過，中國市場(chǎng)的設(shè)備投資仍然保持增長(zhǎng)動(dòng)能，2019年有望成為繼韓國之后的第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。

兩大因素導(dǎo)致2019年資本支出下滑14%

全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)動(dòng)向反映了主要廠商的投資狀況，如果景氣向好，廠商積極投資，設(shè)備市場(chǎng)也會(huì)同步增長(zhǎng)；反之，如果景氣不佳，廠商投資意愿也會(huì)轉(zhuǎn)趨保守，使得設(shè)備市場(chǎng)規(guī)?？s減。

晶圓廠設(shè)備支出下降的主要原因是受到存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求疲弱以及晶圓代工廠放緩資本支出兩大因素影響。根據(jù)SEMI報(bào)告的分析，在過去兩年中，存儲(chǔ)器行業(yè)的投資占所有設(shè)備支出的55％，存儲(chǔ)器市場(chǎng)的任何波動(dòng)都會(huì)影響整體設(shè)備市場(chǎng)。而對(duì)半年來晶圓廠設(shè)備支出的回顧表明，高水平庫存和需求疲軟導(dǎo)致2018年下半年DRAM和NAND兩大存儲(chǔ)器價(jià)格的下跌，且跌幅大于預(yù)期。這是直接導(dǎo)致存儲(chǔ)器廠商支出下降的主要原因。根據(jù)此前媒體的報(bào)道，最大的存儲(chǔ)器廠商三星電子為了阻止存儲(chǔ)器價(jià)格下滑，2019年的整體資本支出將下滑8%，其中在DRAM上的投資大砍20%。而根據(jù)SEMI的預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)器廠商整體支出將下降36％。

晶圓代工廠是半導(dǎo)體設(shè)備支出的第二大影響因素。在過去兩年中，每年晶圓代工廠設(shè)備訂單占整體市場(chǎng)份額在25％到30％之間。SEMI預(yù)計(jì)，在2019年和2020年晶圓代工廠訂單的年度份額將穩(wěn)定在30％左右。雖然晶圓代工廠在設(shè)備支出方面通常波動(dòng)小于存儲(chǔ)廠商，但是此次依然受到市場(chǎng)變化的影響。2018年下半年晶圓代工廠的設(shè)備支出下降了13％。

中國市場(chǎng)繼續(xù)保持增長(zhǎng)動(dòng)能

盡管全球設(shè)備支出下降，但是來自中國市場(chǎng)的設(shè)備投資卻保持增長(zhǎng)動(dòng)能，這也使得未來中國市場(chǎng)的重要性進(jìn)一步提高。根據(jù)ICInsights的報(bào)告，2019年全球?qū)⒂?座新的12英寸晶圓廠開業(yè)，其中有5座來自中國。2018年全年一共新開了7家12英寸晶圓廠，而今年又將新增9家12英寸廠，這是繼2007年以來一年內(nèi)最多的一次。SEMI在報(bào)告中也指出，2018年中國在晶圓廠方面的投資激增，成為全球第二大設(shè)備市場(chǎng)，僅次于韓國。

盤點(diǎn)近年來國內(nèi)投資建設(shè)的晶圓廠情況，根據(jù)芯思想研究院的統(tǒng)計(jì)，2018年度宣布投產(chǎn)的晶圓廠達(dá)到10家；2018年度前已經(jīng)投產(chǎn)，但2018年開始新產(chǎn)能建設(shè)的有4家；2018年度正在建設(shè)的全新晶圓生線21條：2018年度規(guī)劃建的有2家。中國在晶圓廠建設(shè)上的投資領(lǐng)先全球。

其中較具代表性的上海華力二期項(xiàng)目于2016年12月30日開工建設(shè)，2018年10月18日生產(chǎn)線正式投片，首批12英寸硅片進(jìn)入設(shè)備，開始28納米工藝芯片制造。長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年7月26日成立，2016年12月30日國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目正式開工建設(shè)，2018年第四季度長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期工程正式投產(chǎn)，32層3DNAND閃存芯片成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2018年第三季度中芯寧波8英寸特種工藝N1產(chǎn)線生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)廠，2018年11月2日正式投產(chǎn)。同日，N2產(chǎn)線開工建設(shè)。

國際廠商在中國大陸進(jìn)行了大量晶圓廠的布局建設(shè)，也是中國設(shè)備需求增長(zhǎng)的重要原因。盤點(diǎn)重點(diǎn)項(xiàng)目包括：2016年3月臺(tái)積電南京項(xiàng)目正式落戶，2016年7月項(xiàng)目一期開工建設(shè)，2018年5月晶圓廠開始試投產(chǎn)。2018年第二季度，英特爾宣布大連廠二期投產(chǎn)，主要生產(chǎn)96層的3DNAND閃存。2018年3月三星宣布在西安舉行第二條NAND閃存芯片生產(chǎn)線的奠基儀式，2019年投產(chǎn)。2017年10月29日，SK海力士計(jì)劃在無錫興建新廠，項(xiàng)目完成后將形成月產(chǎn)能20萬片10納米工藝等級(jí)的晶圓生產(chǎn)線。

上海華虹（集團(tuán)）有限公司董事長(zhǎng)張素心在SEMICONChina2019的開幕主題演講中指出，中國集成電路企業(yè)是全球材料設(shè)備企業(yè)的重要合作伙伴。中國是全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，2018年達(dá)到118億美元，預(yù)測(cè)2019年將成為全球第一大市場(chǎng)，同時(shí)也是主要設(shè)備廠商最重要的市場(chǎng)。

KLA-Tencor高級(jí)副總裁兼首席營銷官OresteDonzella表示，盡管業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為2019年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)平緩，但中國的晶圓廠設(shè)備市場(chǎng)增長(zhǎng)卻相對(duì)較快。

中國設(shè)備業(yè)應(yīng)抓住難得的市場(chǎng)機(jī)遇

盡管中國半導(dǎo)體以及相關(guān)設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，但是裝備制造業(yè)一直是中國半導(dǎo)體的薄弱環(huán)節(jié)。上述半導(dǎo)體設(shè)備也大多需要從國際設(shè)備廠采購。據(jù)美國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查公司VLSIResearch發(fā)布的2018年全球半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠商排名，前十廠商美國4家，日本5家，歐州1家。中國供應(yīng)商還無法滿足國內(nèi)晶圓廠的需求。

不過，經(jīng)過這些年的發(fā)展，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)已呈現(xiàn)出較快增長(zhǎng)的勢(shì)頭。北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān)，完成了刻蝕機(jī)、磁控濺射、氧化爐、低壓化學(xué)氣相沉積、清洗機(jī)、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。中微半導(dǎo)體先后承擔(dān)并圓滿完成65～45納米、32～22納米、22～14納米等三項(xiàng)等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的集成電路專項(xiàng)任務(wù)，使我國在該項(xiàng)設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進(jìn)水平同步。

在市場(chǎng)需求快速增長(zhǎng)的背景下，中國設(shè)備企業(yè)也應(yīng)抓住機(jī)遇，趕上這班高速增長(zhǎng)的“列車”。中科院微電子所所長(zhǎng)葉甜春指出，要想做強(qiáng)中國集成電路產(chǎn)業(yè)特別是裝備制造業(yè)，幾個(gè)問題亟待解決：一是產(chǎn)業(yè)模式單一，需要在無晶圓設(shè)計(jì)和芯片代工制造基礎(chǔ)上，根據(jù)產(chǎn)品特點(diǎn)發(fā)展多元的模式，尤其是IDM。二是裝備和材料還要加強(qiáng)，現(xiàn)在28納米以上的產(chǎn)品工藝和特色工藝種類覆蓋仍然不夠。三是協(xié)同發(fā)展的產(chǎn)業(yè)生態(tài)需要盡快形成，“系統(tǒng)-芯片-工藝-裝備-材料”緊密協(xié)同對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。四是改變產(chǎn)業(yè)布局的無序競(jìng)爭(zhēng)、碎片化與同質(zhì)化傾向。